75.在八面体配合物中 ,可能发生大畸变的电子结构为 A: (t2g)5(eg)2 B: (t2g)4(eg)2 C: (t2g)6(eg)3 D: (t2g)4(eg)0
75.在八面体配合物中 ,可能发生大畸变的电子结构为 A: (t2g)5(eg)2 B: (t2g)4(eg)2 C: (t2g)6(eg)3 D: (t2g)4(eg)0
华氏32℉时的摄氏温度为（）. A: 32℃ B: 0℃ C: 273℃ D: -32℃
华氏32℉时的摄氏温度为（）. A: 32℃ B: 0℃ C: 273℃ D: -32℃
摄氏温度0°相当于华氏32°。（）
摄氏温度0°相当于华氏32°。（）
已知向量AB=（2，3），CD=（x，x2），若AB∥CD，则x=（ ） A: 32 B: -32 C: -32或32 D: 0或32
已知向量AB=（2，3），CD=（x，x2），若AB∥CD，则x=（ ） A: 32 B: -32 C: -32或32 D: 0或32
已知直线ax-y=0与直线2x+3y+1=0平行，则a等于（ ） A: 23 B: -23 C: 32 D: -32
已知直线ax-y=0与直线2x+3y+1=0平行，则a等于（ ） A: 23 B: -23 C: 32 D: -32
若半导体材料的禁带宽度为Eg，要产生光电效应，必须符合（） A: hfB.hf>Eg B: hf=Eg
若半导体材料的禁带宽度为Eg，要产生光电效应，必须符合（） A: hfB.hf>Eg B: hf=Eg
华氏温度 32°F 约等于摄氏（） A: 15℃ B: 0℃ C: 32℃ D: 273K
华氏温度 32°F 约等于摄氏（） A: 15℃ B: 0℃ C: 32℃ D: 273K
某路由器路由表如下: A: uting Tables: B: stination/Mask Proto Pref Metric Nexthop Interface C: 0.0.0/8 Direct 0 0 2.2.2.1 Serial0 D: 2.2.1/32 Direct 0 0 2.2.2.1 Serial0 E: 2.2.2/32 Direct 0 0 127.0.0.1 LoopBack0 F: 0.0.0/8 Direct 0 0 3.3.3.1 Ethernet0 G: 3.3.1/32 Direct 0 0 127.0.0.1 LoopBack0
某路由器路由表如下: A: uting Tables: B: stination/Mask Proto Pref Metric Nexthop Interface C: 0.0.0/8 Direct 0 0 2.2.2.1 Serial0 D: 2.2.1/32 Direct 0 0 2.2.2.1 Serial0 E: 2.2.2/32 Direct 0 0 127.0.0.1 LoopBack0 F: 0.0.0/8 Direct 0 0 3.3.3.1 Ethernet0 G: 3.3.1/32 Direct 0 0 127.0.0.1 LoopBack0
d3电子构型在八面体场中电子布为t2g 3，eg 0，未成对电子数为3。则d8的电子排列应为t2g（ ）eg（ ），未成对电子数（ ）
d3电子构型在八面体场中电子布为t2g 3，eg 0，未成对电子数为3。则d8的电子排列应为t2g（ ）eg（ ），未成对电子数（ ）
以下选项中，能看作一条语句的是（ ）。 A: {;} B: a=0,b=0,c=0; C: if(a>0); D: if(b==0) m=1;n=2; E: a>=’a’&&a<=’z’?a+=32:a>=’A’&&a<=’Z’?a-=32:a;
以下选项中，能看作一条语句的是（ ）。 A: {;} B: a=0,b=0,c=0; C: if(a>0); D: if(b==0) m=1;n=2; E: a>=’a’&&a<=’z’?a+=32:a>=’A’&&a<=’Z’?a-=32:a;