EMB5116TD-LTE基站的高度为（） A: A1U B: B2U C: C3U D: D4U

设\(z =xlny\)，\(x =u^2+v^2\)，\(y =u^2-v^2\)，则\( { { \partial z} \over {\partial v}} = \)（ ）。 A: \(2v\left[ {\ln ({u^2} +{v^2}) - \left( { { { { u^2} + {v^2}} \over { { u^2} - {v^2}}}} \right)} \right]\) B: \(2v\left[ {\ln ({u^2} - {v^2})+ \left( { { { { u^2} + {v^2}} \over { { u^2} - {v^2}}}} \right)} \right]\) C: \(2u\left[ {\ln ({u^2} - {v^2}) - \left( { { { { u^2} + {v^2}} \over { { u^2} - {v^2}}}} \right)} \right]\) D: \(2v\left[ {\ln ({u^2} - {v^2}) - \left( { { { { u^2} + {v^2}} \over { { u^2} - {v^2}}}} \right)} \right]\)

【单选题】图所示的电路,若参考方向分别如 U 1 , U 2 所示,则 U 1 , U 2 分别为 ()。 A. U 1 =1V, U 2 =1V B. U 1 =1V, U 2 =-1V C. U 1 =-1V, U 2 =1V D. U 1 =-1V, U 2 =-1V

求图中电压U()1(),U()2A.()U()1()=10V,U()2()=5V()B.()U()1()=-10V,U()2()=-5V()C.()U()1()=10V,U()2()=-5V()D.()U()1()=5V,U()2()=-10V

U=U¬msin(ωt+π/2),i=Imsinωt,则()。 A: i、u同相 B: i、u反相 C: i超前Uπ/2 D: i滞后Uπ/2

设ω1、ω2，为任意两个可能的财富值，0＜a＜1，凹性效用函数具有的性质为( )。 A: u[aω1+(1-a)ω2]＜au(ω1)+(1-a)u(ω2) B: u[aω1+(1-a)ω2]＞au(ω1)+(1-a)u(ω2) C: u[aω1+(1-a)ω2]≤au(ω1)+(1-a)u(ω2) D: u[aω1+(1-a)ω2]≥au(ω1)+(1-a)u(ω2)

【单选题】已知一定量的某种理想气体,在温度为 T 1 与 T 2 时的分子最概然速率分别为 u p 1 和 u p 2 ,分子速率分布函数的最大值分别为 f ( u p 1 ) 和 f ( u p 2 ) .若 T 1 > T 2 ,则 A. u p 1 > u p 2 ， f ( u p 1 )> f ( u p 2 ) B. u p 1 > u p 2 ， f ( u p 1 )< f ( u p 2 ) C. u p 1 < u p 2 ， f ( u p 1 )> f ( u p 2 ) D. u p 1 < u p 2 ， f ( u p 1 )< f ( u p 2 )

图示电路中，利用结点电压法列写方程和解得电压u为（ ）。[img=188x95]17da6b16678d391.png[/img] A: （1+1/2+1/3）u=-3+3/2；-1 B: （1+1/2）u=-3+3/2；u=-9/11 C: （1+1/2）u=-3+3/2；u=-1 D: （1+1/2+1/3）u=-3+3/2；u=-9/11

利用以下第（）式可以查出P(|U|&gt;u)的值。 A: Φ（-u） B: Φ（u）-1/2 C: 2Φ（-u） D: Φ（u2）-Φ（u1）

设总体X~N(μ,σ2),(X1, X2,…, Xn)为来自总体X的一个样本。当方差σ2已知时,作假设检验H0:μ=μ0 , H1:μ&lt;μ0,则在α水平下,其拒绝域为: A: .(-Uα/2, Uα/2) B: (-∞, -Uα) C: (Uα, +∞) D: (-∞, -Uα/2)∪(Uα/2,+∞)