在555定时器的5脚外接一个Vcc/2的电压源，此时与2脚、6脚输入相比较的基准电压分别是（）。 A: Vcc/2、Vcc/4 B: Vcc/6、Vcc/3 C: Vcc/3、Vcc/6 D: Vcc/4、Vcc/2
在555定时器的5脚外接一个Vcc/2的电压源，此时与2脚、6脚输入相比较的基准电压分别是（）。 A: Vcc/2、Vcc/4 B: Vcc/6、Vcc/3 C: Vcc/3、Vcc/6 D: Vcc/4、Vcc/2
摩托罗拉A1200手机以下供电影响开机的是（）。 A: W-AP-IO-REG B: AP-CORE C: VBOOST D: VCC-SRAM E: BB-IO-REG
摩托罗拉A1200手机以下供电影响开机的是（）。 A: W-AP-IO-REG B: AP-CORE C: VBOOST D: VCC-SRAM E: BB-IO-REG
555定时器电源电压为VCC，构成施密特触发器其回差电压为( ) A: Vcc B: 1/2*Vcc C: 2/3*Vcc D: 1/3*Vcc
555定时器电源电压为VCC，构成施密特触发器其回差电压为( ) A: Vcc B: 1/2*Vcc C: 2/3*Vcc D: 1/3*Vcc
在理想情况下，OCL功放电路的最大输出功率（）。 A: Vcc/2RL B: Vcc/2RL C: 2RL/Vcc D: Vcc/8RL
在理想情况下，OCL功放电路的最大输出功率（）。 A: Vcc/2RL B: Vcc/2RL C: 2RL/Vcc D: Vcc/8RL
DRAM速度（）SRAM，集成度（）SRAM。
DRAM速度（）SRAM，集成度（）SRAM。
555定时器构成施密特触发器时，其回差电压为（ ）。 A: VCC B: 1/2 VCC C: 2/3 VCC D: 1/3 VCC
555定时器构成施密特触发器时，其回差电压为（ ）。 A: VCC B: 1/2 VCC C: 2/3 VCC D: 1/3 VCC
SRAM和DRAM的区别？（） A: SRAM比DRAM功耗高 B: SRAM比DRAM成本高 C: SRAM比DRAM速度快 D: SRAM比DRAM散热大
SRAM和DRAM的区别？（） A: SRAM比DRAM功耗高 B: SRAM比DRAM成本高 C: SRAM比DRAM速度快 D: SRAM比DRAM散热大
7.4.26 555定时器构成单稳态触发器（电源电压为VCC且不考虑外接控制UM），在暂态维持阶段定时元件电容的电压变化范围是 。 A: A. 0→1/3 VCC B: B. 0→ 2/3 VCC C: 1/3 VCC→2/3 VCC D: D. 1/3 VCC→VCC
7.4.26 555定时器构成单稳态触发器（电源电压为VCC且不考虑外接控制UM），在暂态维持阶段定时元件电容的电压变化范围是 。 A: A. 0→1/3 VCC B: B. 0→ 2/3 VCC C: 1/3 VCC→2/3 VCC D: D. 1/3 VCC→VCC
DRAM、SRAM两者的区别是 A: DRAM集成度比SRAM低 B: DRAM集成度比SRAM高 C: DRAM读取速度比SRAM快 D: DRAM断电后数据消失,但SRAM不会
DRAM、SRAM两者的区别是 A: DRAM集成度比SRAM低 B: DRAM集成度比SRAM高 C: DRAM读取速度比SRAM快 D: DRAM断电后数据消失,但SRAM不会
【多选题】下列关于SRAM和DRAM的描述中,正确的是: A. SRAM和DRAM都是半导体存储器。 B. SRAM的存取速度比DRAM快。 C. DRAM的存取速度比SRAM快。 D. SRAM需要刷新
【多选题】下列关于SRAM和DRAM的描述中,正确的是: A. SRAM和DRAM都是半导体存储器。 B. SRAM的存取速度比DRAM快。 C. DRAM的存取速度比SRAM快。 D. SRAM需要刷新