写出能完成下列数据传送的指令或指令序列。 （1）片内RAM20H单元内容送30H单元 （2）片外RAM20H单元内容送片内RAM20H单元 （3）片外ROM2000H单元内容送片内RAM20H单元
写出能完成下列数据传送的指令或指令序列。 （1）片内RAM20H单元内容送30H单元 （2）片外RAM20H单元内容送片内RAM20H单元 （3）片外ROM2000H单元内容送片内RAM20H单元
内部RAM中，可作为工作寄存器区的单元地址为 H ～ H 。
内部RAM中，可作为工作寄存器区的单元地址为 H ～ H 。
AT89S52单片机内部RAM中，可作为工作寄存器区的单元地址为 ______ H～ ______ H。
AT89S52单片机内部RAM中，可作为工作寄存器区的单元地址为 ______ H～ ______ H。
已知电路中：L1=10µH，L2=20µH，L3=20µH，求LAB=（）？ A: 20 B: 22 C: 25.5 D: 26.7
已知电路中：L1=10µH，L2=20µH，L3=20µH，求LAB=（）？ A: 20 B: 22 C: 25.5 D: 26.7
写出实现下列要求的指令或程序片段。 （1）将内部RAM20H单元内容与累加器A内容相加，结果存放在20H单元中。 （2）将内部RAM30H单元内容与内部RAM31H单元内容相加，结果存放到内部RAM31H单元中。 （3）将内部RAM20H单元内容传送到外部RAM2000H单元中。 （4）使内部RAM20H单元的D7和D3位清零，其他位保持不变。 （5）使内部RAM20H单元的D7和D3位置1，D5位清零，其他位保持不变。 （6）使内部RAM20H单元的D7和D3位置1，D5位取反，其他位保持不变
写出实现下列要求的指令或程序片段。 （1）将内部RAM20H单元内容与累加器A内容相加，结果存放在20H单元中。 （2）将内部RAM30H单元内容与内部RAM31H单元内容相加，结果存放到内部RAM31H单元中。 （3）将内部RAM20H单元内容传送到外部RAM2000H单元中。 （4）使内部RAM20H单元的D7和D3位清零，其他位保持不变。 （5）使内部RAM20H单元的D7和D3位置1，D5位清零，其他位保持不变。 （6）使内部RAM20H单元的D7和D3位置1，D5位取反，其他位保持不变
STC15单片机片内RAM的位寻址空间的字节地址范围是H~H，对应的位寻址范围是H~H
STC15单片机片内RAM的位寻址空间的字节地址范围是H~H，对应的位寻址范围是H~H
加热炉烘炉时，升温速度一般控制在（）。 A: 小于15℃/h B: 15～20℃/h C: 20～25℃/h D: 25～30℃/h
加热炉烘炉时，升温速度一般控制在（）。 A: 小于15℃/h B: 15～20℃/h C: 20～25℃/h D: 25～30℃/h
附加偏心距如何取值（） A: 20mm B: h/30 C: max（20, h/30） D: min（20, h/30）
附加偏心距如何取值（） A: 20mm B: h/30 C: max（20, h/30） D: min（20, h/30）
32KB RAM存储器的首地址若为2000H，则末地址为（ ）H
32KB RAM存储器的首地址若为2000H，则末地址为（ ）H
接触轨冷滑冷滑试验分三次往返进行，第一次冷滑为km/h，第二次为km/h，第三次为km/h（） A: 10、20、50 B: 5、20、60 C: 10、20、60 D: 5、20、40
接触轨冷滑冷滑试验分三次往返进行，第一次冷滑为km/h，第二次为km/h，第三次为km/h（） A: 10、20、50 B: 5、20、60 C: 10、20、60 D: 5、20、40