某直线光栅每毫米刻线数为50,采用4细分技术,则光栅的分辨力为()。 A: 5μm B: 50μm C: 4μm D: 20μm
某直线光栅每毫米刻线数为50,采用4细分技术,则光栅的分辨力为()。 A: 5μm B: 50μm C: 4μm D: 20μm
ITU规定多模光纤的纤芯直径为μm（） A: 50±1 B: 50±2 C: 50±3 D: 50±4
ITU规定多模光纤的纤芯直径为μm（） A: 50±1 B: 50±2 C: 50±3 D: 50±4
纳米囊、纳米球的直径范围为() A: 10～50μm B: 10～100μm C: 30～50μm D: 50～100μm
纳米囊、纳米球的直径范围为() A: 10～50μm B: 10～100μm C: 30～50μm D: 50～100μm
一般地震电缆线的长度为（）。 A: 道容量×50×100％m B: 道容量×50×110％m C: 道容量×50×120％m D: 道容量×50×130％m
一般地震电缆线的长度为（）。 A: 道容量×50×100％m B: 道容量×50×110％m C: 道容量×50×120％m D: 道容量×50×130％m
气雾剂喷出的药物雾滴一般应为（） A: ＞50μm B: ＜100μm C: ＜75μm D: ＜50μm E: ＞75μm
气雾剂喷出的药物雾滴一般应为（） A: ＞50μm B: ＜100μm C: ＜75μm D: ＜50μm E: ＞75μm
质量摩尔浓度为m的Na3PO4溶液，平均活度系数为γ±，则电解质的活度为：（） A: a（B）=4（m/mθ）4（γ±）4 B: a（B）=4（m/mθ）（γ±）4 C: a（B）=27（m/mθ）4（γ±）4 D: a（B）=27（m/mθ）（γ±）4
质量摩尔浓度为m的Na3PO4溶液，平均活度系数为γ±，则电解质的活度为：（） A: a（B）=4（m/mθ）4（γ±）4 B: a（B）=4（m/mθ）（γ±）4 C: a（B）=27（m/mθ）4（γ±）4 D: a（B）=27（m/mθ）（γ±）4
用动态规划策略求解矩阵连乘问题1 2 3 4 M*M*M*M，其中1M（20*5）、2M（5*35）、3M（35*4）和4M（4*25），则最优的计算次序为（）。 A: 1 2 3 4 ((M*M)*M)*M B: 1 2 3 4 (M*M)*(M *M ) C: 1 2 3 4 (M*(M *M))*M D: 1 2 3 4 M*(M *(M *M ))
用动态规划策略求解矩阵连乘问题1 2 3 4 M*M*M*M，其中1M（20*5）、2M（5*35）、3M（35*4）和4M（4*25），则最优的计算次序为（）。 A: 1 2 3 4 ((M*M)*M)*M B: 1 2 3 4 (M*M)*(M *M ) C: 1 2 3 4 (M*(M *M))*M D: 1 2 3 4 M*(M *(M *M ))
超精密切削加工中的切削加工误差为() A: 0.1µm～1µm B: 1µm～10µm C: 10µm～50µm D: 50µm～100µm
超精密切削加工中的切削加工误差为() A: 0.1µm～1µm B: 1µm～10µm C: 10µm～50µm D: 50µm～100µm
降尘室内正常情况下能100%去除的最小粒径为50μm。现气体处理量增大一倍,该降尘室能100%除去的最小粒径为: A: 2×50 μm B: (1/2)×50 μm C: 50 μm D: 1.414×50 μm
降尘室内正常情况下能100%去除的最小粒径为50μm。现气体处理量增大一倍,该降尘室能100%除去的最小粒径为: A: 2×50 μm B: (1/2)×50 μm C: 50 μm D: 1.414×50 μm
沉降性颗粒物的粒径一般为（） A: 5～10μm B: >10～50μm C: >50～70μm D: >75～100μm E: >100μm
沉降性颗粒物的粒径一般为（） A: 5～10μm B: >10～50μm C: >50～70μm D: >75～100μm E: >100μm