某晶体管的发射极电流等于1 mA，基极电流等于20μA，则它的集电极电流等于（ ）。 A: 0.98 mA B: 1.02mA C: 1.2mA D: 0.8mA
某晶体管的发射极电流等于1 mA，基极电流等于20μA，则它的集电极电流等于（ ）。 A: 0.98 mA B: 1.02mA C: 1.2mA D: 0.8mA
某三极管的发射极电流等于1mA,基极电流等于20μA,则它的集电极等于( ) A: 0.98mA B: 1.02mA C: 0.8mA D: 1.2 mA
某三极管的发射极电流等于1mA,基极电流等于20μA,则它的集电极等于( ) A: 0.98mA B: 1.02mA C: 0.8mA D: 1.2 mA
For an n-channel depletion MOSFET, IDSS = 8 mA and VP = -6 V. If VGS = 0.8 V, what is the value of the drain current, ID? A: 8 mA B: 10.25 μA C: 10.28 mA D: 6 mA
For an n-channel depletion MOSFET, IDSS = 8 mA and VP = -6 V. If VGS = 0.8 V, what is the value of the drain current, ID? A: 8 mA B: 10.25 μA C: 10.28 mA D: 6 mA
现有一量程为100mA的组装电流表，多次校准发现其数值与标准表差值分别为0.2mA、0.5 mA、0.5 mA、0.8mA。已知标准表最大误差为0.5mA，则该组装表应定位( )级别。
现有一量程为100mA的组装电流表，多次校准发现其数值与标准表差值分别为0.2mA、0.5 mA、0.5 mA、0.8mA。已知标准表最大误差为0.5mA，则该组装表应定位( )级别。
某晶体管的发射极电流等于1<br/>mA,基极电流等于20μA,则它的集电极电流等于( )。 A: 0.98<br/>mA B: 1.02<br/>mA C: 0.8<br/>mA D: 1.2<br/>mA
某晶体管的发射极电流等于1<br/>mA,基极电流等于20μA,则它的集电极电流等于( )。 A: 0.98<br/>mA B: 1.02<br/>mA C: 0.8<br/>mA D: 1.2<br/>mA
已知某TTL门电路参数如下：IOL=16mA，IIL=0.4mA，IOH=0.8mA, IIH=0.04 mA , 则其带同类门时的扇出数为N=___
已知某TTL门电路参数如下：IOL=16mA，IIL=0.4mA，IOH=0.8mA, IIH=0.04 mA , 则其带同类门时的扇出数为N=___
测量磁感应强度，已知霍尔元件的灵敏度KH为 82[mV/(mA*KGs)]，测得霍尔电压 VH是 250mV、工作电流 Is 是 0.8mA，则磁感应强度 BH 的值是多少？ （ ）
测量磁感应强度，已知霍尔元件的灵敏度KH为 82[mV/(mA*KGs)]，测得霍尔电压 VH是 250mV、工作电流 Is 是 0.8mA，则磁感应强度 BH 的值是多少？ （ ）
某晶体管的发射极电流等于1mA，基极电流等于20μA，则它的集电极电流等于（）。 A: 0.98 mA B: 0.8 mA C: 1.2
某晶体管的发射极电流等于1mA，基极电流等于20μA，则它的集电极电流等于（）。 A: 0.98 mA B: 0.8 mA C: 1.2
概率为50％时、成年女子平均感知电流约为（）MA。 A: 0.5 B: 0.6 C: 0.7 D: 0.8
概率为50％时、成年女子平均感知电流约为（）MA。 A: 0.5 B: 0.6 C: 0.7 D: 0.8
已知一个已调幅信号的频谱如图所示，相应的调制指数ma为（） A: 0.6 B: 0.3 C: 0.2 D: 0.8
已知一个已调幅信号的频谱如图所示，相应的调制指数ma为（） A: 0.6 B: 0.3 C: 0.2 D: 0.8