下面不能正确对数组进行初始化的语句是（） A: int a[5] = {62, 74, 56, 88, 90, 100}; B: int a[ ] = {62, 74, 56, 88, 90, 100}; C: int a[5] = {62, 74, 0, 0, 0}; D: int a[5] = {62, 74};
下面不能正确对数组进行初始化的语句是（） A: int a[5] = {62, 74, 56, 88, 90, 100}; B: int a[ ] = {62, 74, 56, 88, 90, 100}; C: int a[5] = {62, 74, 0, 0, 0}; D: int a[5] = {62, 74};
公式=DATEDIF(A1,B1,”Y”)返回的结果是()。 A: 1925/12/6 B: 9472 C: 25 D: 311
公式=DATEDIF(A1,B1,”Y”)返回的结果是()。 A: 1925/12/6 B: 9472 C: 25 D: 311
面心立方晶体的配位数，致密度是（） A: 12，74% B: 6, 74% C: 12, 68% D: 6, 68%
面心立方晶体的配位数，致密度是（） A: 12，74% B: 6, 74% C: 12, 68% D: 6, 68%
面心立方、体心立方和密排六方的空间利用率分别为__________________。 A: 74%、74%、74% B: 68%、68%、68% C: 74%、68%、74% D: 68%、74%、68%
面心立方、体心立方和密排六方的空间利用率分别为__________________。 A: 74%、74%、74% B: 68%、68%、68% C: 74%、68%、74% D: 68%、74%、68%
面心立方、体心立方和密排六方的配位数分别为 A: 74％、68％、74％ B: 68％、68%、68% C: 68％、74%、68% D: 74％、74%、74%
面心立方、体心立方和密排六方的配位数分别为 A: 74％、68％、74％ B: 68％、68%、68% C: 68％、74%、68% D: 74％、74%、74%
面心立方、体心立方和密排六方的致密度分别为()。 A: 68%、68%、68% B: 74%、68%、74% C: 68%、74%、68% D: 74%、74%、74%
面心立方、体心立方和密排六方的致密度分别为()。 A: 68%、68%、68% B: 74%、68%、74% C: 68%、74%、68% D: 74%、74%、74%
关于提高编程的效率，下列说法中不正确的是（ ）。 A: 5 0 6 4 B: 0 0 6 4 C: 5 0 6 2 D: 0 0 6 2
关于提高编程的效率，下列说法中不正确的是（ ）。 A: 5 0 6 4 B: 0 0 6 4 C: 5 0 6 2 D: 0 0 6 2
体心立方（A2或BCC）、面心立方（A1或FCC）、密排六方（A3或HCP）晶体结构的致密度分别为（ ）。 A: 68%，74%，74% B: 74%，68%，68% C: 68%，68%，74% D: 74%，74%，68%
体心立方（A2或BCC）、面心立方（A1或FCC）、密排六方（A3或HCP）晶体结构的致密度分别为（ ）。 A: 68%，74%，74% B: 74%，68%，68% C: 68%，68%，74% D: 74%，74%，68%
三种常见晶格的晶胞原子数、致密度是（）。 A: 4，4，6/62%，78%，78% B: 2，4，6/68%，74%，74% C: 2，4，9/68%，74%，74%
三种常见晶格的晶胞原子数、致密度是（）。 A: 4，4，6/62%，78%，78% B: 2，4，6/68%，74%，74% C: 2，4，9/68%，74%，74%
54（军用）系列的TTL门电路。其电路结构和电气性能参数与74（民用）系列相同，主要区别在于54系列比74系列的工作温度范围更宽(74系列为0~70 2103，54系列为-55~+125 2103)， 电源允许的工作范围也更大(74系列为5 V(100b15%)，54系列为5 V(100b110%))。
54（军用）系列的TTL门电路。其电路结构和电气性能参数与74（民用）系列相同，主要区别在于54系列比74系列的工作温度范围更宽(74系列为0~70 2103，54系列为-55~+125 2103)， 电源允许的工作范围也更大(74系列为5 V(100b15%)，54系列为5 V(100b110%))。