一点电荷q位于一立方体的中心，通过该立方体每个面的电通量为（）。 A: q/(ε0 ) B: q/(3ε0 ) C: q/(6ε0 ) D: q/(8ε0 )
一点电荷q位于一立方体的中心，通过该立方体每个面的电通量为（）。 A: q/(ε0 ) B: q/(3ε0 ) C: q/(6ε0 ) D: q/(8ε0 )
真空中，一点电荷位于一立方体中心，通过立方体每个表面的电通量为：（ ） A: q/16ε0 B: q/8ε0 C: q/4ε0 D: q/6ε0
真空中，一点电荷位于一立方体中心，通过立方体每个表面的电通量为：（ ） A: q/16ε0 B: q/8ε0 C: q/4ε0 D: q/6ε0
真空中，一点电荷位于一立方体中心，通过立方体每个表面的电通量为 A: q/16ε0 B: q/8ε0 C: q/4ε0 D: q/6ε0
真空中，一点电荷位于一立方体中心，通过立方体每个表面的电通量为 A: q/16ε0 B: q/8ε0 C: q/4ε0 D: q/6ε0
真空中有一点电荷 q 位于边长为a 的正立方体的中心,通过此立方体的每一面的电通量各是 ( ). A: q / ( 6 ε 0 ) B: q / ( 8 ε 0 ) C: q / ( 12 ε 0 ) D: q / ( 24 ε 0 )
真空中有一点电荷 q 位于边长为a 的正立方体的中心,通过此立方体的每一面的电通量各是 ( ). A: q / ( 6 ε 0 ) B: q / ( 8 ε 0 ) C: q / ( 12 ε 0 ) D: q / ( 24 ε 0 )
With respect to the security market line (SML), an increase in the business risk of the stock-is-suing company would most likely result in which of the following changes A: An upward shift in the SML B: A downward shift in the SML C: Movement upward along the SML
With respect to the security market line (SML), an increase in the business risk of the stock-is-suing company would most likely result in which of the following changes A: An upward shift in the SML B: A downward shift in the SML C: Movement upward along the SML
理想气体经节流膨胀过程后,则() A: Q＞0,△H＞0 B: Q＜0, △H=0 C: Q=0, △H=0 D: Q＞0,△H=0
理想气体经节流膨胀过程后,则() A: Q＞0,△H＞0 B: Q＜0, △H=0 C: Q=0, △H=0 D: Q＞0,△H=0
实际气体节流膨胀后（ ）。 A: Q B: Q=0，ΔH C: Q=0，ΔH=0，Δp D: Q=0，ΔH=0，ΔT
实际气体节流膨胀后（ ）。 A: Q B: Q=0，ΔH C: Q=0，ΔH=0，Δp D: Q=0，ΔH=0，ΔT
对于基本RS触发器来说，RS＝01时，则（ ）。 A: Q＝0，非Q＝1 B: Q＝0，非Q＝0 C: Q＝1，非Q＝1 D: Q＝1，非Q＝0
对于基本RS触发器来说，RS＝01时，则（ ）。 A: Q＝0，非Q＝1 B: Q＝0，非Q＝0 C: Q＝1，非Q＝1 D: Q＝1，非Q＝0
气体经节流膨胀过程（） A: Q>0 ΔH=0 Δp<0 B: Q=0 ΔH=0 Δp<0 C: Q=0 ΔH>0 Δp<0 D: Q=0 ΔH=0 Δp>0
气体经节流膨胀过程（） A: Q>0 ΔH=0 Δp<0 B: Q=0 ΔH=0 Δp<0 C: Q=0 ΔH>0 Δp<0 D: Q=0 ΔH=0 Δp>0
实际气体经节流膨胀后（ ） A: Q＜0，DH＝0，Dp＜0 B: Q＝0，DH＝0，DT＜0 C: Q＝0，DH＜0，Dp＜0 D: Q＝0，DH＝0，Dp＜0
实际气体经节流膨胀后（ ） A: Q＜0，DH＝0，Dp＜0 B: Q＝0，DH＝0，DT＜0 C: Q＝0，DH＜0，Dp＜0 D: Q＝0，DH＝0，Dp＜0