下列药物与受体亲和力最小的是（）。 A: pD=1 B: pD=3 C: pD=4 D: pD=6 E: pD=9

PD、PDB、CPT、PMP、RTB售卖优先级为（） A: PD＞CPT=PDB＞PMP＞RTB B: CPT＞PDB＞PD＞PMP＞RTB C: CPT＞PD＞PDB＞PMP＞RTB D: CPT＞PD=PDB＞PMP＞RTB

下列选项中,可以正确导入pandas库的是() A: import pd B: import pd as pandas C: import pandas as pd D: from pd import pandas

标签分几种类型（） A: AM/PM/PD B: SAF/AM/PM C: SAF/AM/PD D: SAF/PM/PD

下列药物与受体亲和力最小的是( ) A: pD₂=1 B: pD₂=3 C: pD₂=4 D: pD₂=6 E: pD₂=9

import pandas as pd语句的功能是（ ）。 A: 导入 Pandas 模块 B: 导入 Pandas 模块，并约定简称为pd C: 其它都不对 D: 导入 pd 模块，并约定简称为pd

IGBT是一个复合型的器件，它是 A: GTR驱动的MOSFET B: MOSFET驱动的GTR C: MOSFET驱动的晶闸管 D: MOSFET驱动的GTO

已知四个FET的转移特性曲线分别如下图a、b、c、d所示,由此可判断a图、b图、c图和d图四只管子的类型分别为()。[img=518x363]17e0b2405403c90.jpg[/img] A: (a)N沟道耗尽型MOSFET,(b)N沟道增强型MOSFET,(c)P沟道耗尽型MOSFET,(d)P沟道增强型MOSFET; B: (a)N沟道增强型MOSFET,(b)N沟道耗尽型MOSFET,(c)P沟道耗尽型MOSFET,(d)P沟道增强型MOSFET; C: (a)N沟道耗尽型MOSFET,(b)N沟道增强型MOSFET,(c)P沟道增强型MOSFET,(d)P沟道耗尽型MOSFET; D: (a)N沟道JFET,(b)N沟道增强型MOSFET,(c)P沟道JFET,(d)P沟道增强型MOSFET;

在MOSFET放大电路中，当vGS为正值时， 电路不可能正常放大。 A: N沟道增强型MOSFET B: N沟道耗尽型MOSFET C: P沟道增强型MOSFET D: P沟道耗尽型MOSFET

在下列电力电子器件中，关断时间排序是 A: SCR>GTO>MOSFET>GTR B: GTR>SCR>GTO>MOSFET C: MOSFET>GTR>SCR>GTO D: GTO>MOSFET>GTR>SCR E: SCR>GTO>GTR>MOSFET F: SCR