气井的拟表皮系数Sa与反映井壁附近污染情况的真表皮系数S和井壁附近非达西流动所造成的无量纲附加压力降Dq的关系式是（） A: S=S+Dq B: S=S-Dq C: S=S×Dq D: S=S/Dq
气井的拟表皮系数Sa与反映井壁附近污染情况的真表皮系数S和井壁附近非达西流动所造成的无量纲附加压力降Dq的关系式是（） A: S=S+Dq B: S=S-Dq C: S=S×Dq D: S=S/Dq
克劳修斯不等式的数学描述为（） A: δs≥dQ/T B: δs≤dQ/T C: ds≥δQ/T D: ds≤δQ/T
克劳修斯不等式的数学描述为（） A: δs≥dQ/T B: δs≤dQ/T C: ds≥δQ/T D: ds≤δQ/T
下列表达式中，哪些是正确的？非理想气体经过一不可逆循环（） A: ΔS=0 B: dQ/T=0 C: ΔS≠0 D: dQ/T≠0
下列表达式中，哪些是正确的？非理想气体经过一不可逆循环（） A: ΔS=0 B: dQ/T=0 C: ΔS≠0 D: dQ/T≠0
1803d4df29e3386.png的晶体场稳定化能(CFSE)是： A: - 4 Dq B: - 12 Dq C: - 6 Dq D: - 8 Dq
1803d4df29e3386.png的晶体场稳定化能(CFSE)是： A: - 4 Dq B: - 12 Dq C: - 6 Dq D: - 8 Dq
1803d4df4bc3918.png的晶体场稳定化能(CFSE)是： A: 4 Dq B: 12 Dq C: 6 Dq D: 8 Dq
1803d4df4bc3918.png的晶体场稳定化能(CFSE)是： A: 4 Dq B: 12 Dq C: 6 Dq D: 8 Dq
交流电路中，P、Q和S三者之间的关系为（）。 A: AS²＝P²－Q² B: BS²＝P²＋Q² C: CP²＝S²－Q² D: DQ²＝P²＋S²
交流电路中，P、Q和S三者之间的关系为（）。 A: AS²＝P²－Q² B: BS²＝P²＋Q² C: CP²＝S²－Q² D: DQ²＝P²＋S²
[ Fe(H 2O) 6 ] 2+ 的晶体场稳定化能 (CFSE) 是 A: -4 Dq B: -12 Dq C: -6 Dq D: -8 Dq
[ Fe(H 2O) 6 ] 2+ 的晶体场稳定化能 (CFSE) 是 A: -4 Dq B: -12 Dq C: -6 Dq D: -8 Dq
交流电路中，分别用P、Q、S表示有功功率、无功功率和视在功率，而功率因数则等于（）。 A: AP／S B: BQ／S C: CP／Q D: DQ／P
交流电路中，分别用P、Q、S表示有功功率、无功功率和视在功率，而功率因数则等于（）。 A: AP／S B: BQ／S C: CP／Q D: DQ／P
D触发器的特性方程是()。 A: Q*=DQ’+D’Q B: Q*=DQ C: Q*=D D: Q*=DQ’
D触发器的特性方程是()。 A: Q*=DQ’+D’Q B: Q*=DQ C: Q*=D D: Q*=DQ’
正弦交流电路分别用P表示有功功率，Q表示无功功率，S表示视在功率，则功率因素可表示为（）。 A: AP/Q B: BP/S C: CQ/S D: DQ/P
正弦交流电路分别用P表示有功功率，Q表示无功功率，S表示视在功率，则功率因素可表示为（）。 A: AP/Q B: BP/S C: CQ/S D: DQ/P