图示结构（EA=常数），C点的竖向位移（向下为正）为：[img=189x202]1803c4071654230.png[/img] A: 3Pa/(4EA) B: Pa*a/(4EA) C: 3Pa/(8EA) D: 3Pa*a/(8EA)

图2所示桁架结构各杆EA相同，在荷载作用下K点的竖向位移为（ ）。[img=274x263]1803a44a013d0e5.png[/img] A: 0 B: Fa/(4EA) C: Fa/(2EA) D: Fa/(8EA)

图示桁架，EA=常数，结点8在图示荷载作用下的水平位移：（ ）[img=294x174]18037616cb165cd.jpg[/img] A: 36/EA B: 30/EA C: 15/EA D: 20/EA

图示桁架，EA=常数，结点8在图示荷载作用下的水平位移：（ ）[img=294x174]17de7efe4d346dc.jpg[/img] A: 36/EA B: 30/EA C: 15/EA D: 20/EA

目前帧中继地址字段仅使用两个8比特组，第一个8比特组的EA置为“1”，第二个8比特组的EA置为“0”。（）

[img=91x21]17de8822e93cbeb.png[/img]是吸热反应，正反应的活化能为Ea(1)，逆反应的活化能为Ea(2)，那么（ ）。 A: Ea(1)<;Ea(2) B: Ea(1)>;Ea(2) C: Ea(1)=Ea(2) D: Ea(1)=2Ea

若正反应的活化能为Ea，逆反应的活化能为Ea´,则正反应的热效应∆rHm为 A: ∆rHm=Ea´—Ea B: ∆rHm=|Ea´-Ea| C: ∆rHm=|Ea-Ea´| D: ∆rHm=-(Ea´-Ea)

若正反应的活化能为Ea，逆反应的活化能为Ea’，则正反应的热效应 DrHm为 A: DrHm＝Ea’－Ea B: DrHm＝│Ea’－Ea│ C: DrHm＝│Ea－Ea’│ D: DrHm＝－(Ea’－Ea)

已知复合反应的速率常数和各基元反应的速率常数满足下列关系：k=(k1*k2)/(2k3)，则Ea和各基元反应活化能的关系为（） A: Ea=Ea,1*Ea,2/2Ea,3 B: Ea=Ea,1+Ea,2-2Ea.3 C: Ea=Ea,1+Ea,2-Ea.3 D: Ea=Ea,1*Ea,2/Ea,3

图示杆件的抗拉刚度为EA,其自由端的水平位移为,杆件中间截面的水平位移为。 A: Fa/EA；2Fa/EA B: 2Fa/EA；Fa/EA C: 3Fa/EA；Fa/EA D: Fa/EA；3Fa/EA