如图所示，VA=VB=3V时，VZ=（）V。 A: 3 B: -3 C: 0.7 D: 2.3
如图所示，VA=VB=3V时，VZ=（）V。 A: 3 B: -3 C: 0.7 D: 2.3
如图所示，VA=3V，VB=0V时，VZ=（）V。 A: 2.3 B: -0.7 C: 3 D: -12
如图所示，VA=3V，VB=0V时，VZ=（）V。 A: 2.3 B: -0.7 C: 3 D: -12
在圆管内的定常层流流动，两板中心(r=0)速度最大，边界条件为（ ） A: r=R, vz=0 B: r=0, vz=vmax C: r=R, vz=vmin D: r=R, vz=0
在圆管内的定常层流流动，两板中心(r=0)速度最大，边界条件为（ ） A: r=R, vz=0 B: r=0, vz=vmax C: r=R, vz=vmin D: r=R, vz=0
如图，若VA=3V，VB=0V时，则VZ=（）V。 A: 3 B: 12 C: 0.7 D: 3.7
如图，若VA=3V，VB=0V时，则VZ=（）V。 A: 3 B: 12 C: 0.7 D: 3.7
某工作在放大状态的晶体管，测出其三个电极的电位分别为：Vx=2V，Vy=2.7V，Vz=6V,可知此三极管Vz=6V为（ ）。
某工作在放大状态的晶体管，测出其三个电极的电位分别为：Vx=2V，Vy=2.7V，Vz=6V,可知此三极管Vz=6V为（ ）。
电子以速度VZ垂直射入匀强磁场，受洛伦兹力eVZB的作用，在磁场区域内作匀速圆周运动，轨道半径为R，R与VZ成正比。
电子以速度VZ垂直射入匀强磁场，受洛伦兹力eVZB的作用，在磁场区域内作匀速圆周运动，轨道半径为R，R与VZ成正比。
二极管文字符号用字母（）表示。 A: VZ B: VD C: D D: R
二极管文字符号用字母（）表示。 A: VZ B: VD C: D D: R
DZY02中反星形可控整流电路在工作时，晶闸管受到的最大反向峰值电压为（）Vz。所受最大正向电压峰值为（）Vz。通过晶闸管的平均电流为负载电流的（）。
DZY02中反星形可控整流电路在工作时，晶闸管受到的最大反向峰值电压为（）Vz。所受最大正向电压峰值为（）Vz。通过晶闸管的平均电流为负载电流的（）。
“Changes, myths, knives” should be pronounced as A: /ˈtʃeɪndʒɪz/ / 'mɪθs / /naɪvz/ B: /ˈtʃeɪndʒz/ / 'mɪθiz / /naɪvs/ C: /ˈtʃeɪndʒɪs/ / 'mɪθis / /naɪvz/ D: /ˈtʃeɪndʒɪz/ / 'mɪθz / /naɪvs/
“Changes, myths, knives” should be pronounced as A: /ˈtʃeɪndʒɪz/ / 'mɪθs / /naɪvz/ B: /ˈtʃeɪndʒz/ / 'mɪθiz / /naɪvs/ C: /ˈtʃeɪndʒɪs/ / 'mɪθis / /naɪvz/ D: /ˈtʃeɪndʒɪz/ / 'mɪθz / /naɪvs/
一比较器电路如图所示。VREF＝－1V，VZ＝5V，门限电压值为 。http://edu-image.nosdn.127.net/3EB059916C4F1BC075153666ED617E23.png?imageView&thumbnail=890x0&quality=100
一比较器电路如图所示。VREF＝－1V，VZ＝5V，门限电压值为 。http://edu-image.nosdn.127.net/3EB059916C4F1BC075153666ED617E23.png?imageView&thumbnail=890x0&quality=100