矩阵[left[ {egin{array}{*{20}{c}} {m{0}}&{m{0}}&{m{5}}&{m{2}}\ {m{0}}&{m{0}}&{m{2}}&{m{1}}\ {m{4}}&{m{2}}&{m{0}}&{m{0}}\ {m{1}}&{m{1}}&{m{0}}&{m{0}} end{array}} ight]]的逆矩阵为 ()

矩阵[left[ {egin{array}{*{20}{c}} { m{0}}&{ m{0}}&{ m{5}}&{ m{2}}\ { m{0}}&{ m{0}}&{ m{2}}&{ m{1}}\ { m{4}}&{ m{2}}&{ m{0}}&{ m{0}}\ { m{1}}&{ m{1}}&{ m{0}}&{ m{0}} end{array}} ight]]的逆矩阵为 （ ） </p></p>

用动态规划策略求解矩阵连乘问题1 2 3 4 M*M*M*M，其中1M（20*5）、2M（5*35）、3M（35*4）和4M（4*25），则最优的计算次序为（）。 A: 1 2 3 4 ((M*M)*M)*M B: 1 2 3 4 (M*M)*(M *M ) C: 1 2 3 4 (M*(M *M))*M D: 1 2 3 4 M*(M *(M *M ))

若关于x的二次方程mx2-(m-1)x+m=5=0有两个实根α、β，且满足-1＜a＜0和0＜β＜1，则m的取值范围是______ A: 3＜m＜4 B: 4＜m＜5 C: 5＜m＜6 D: m＞d或m＜5 E: m＞5或m＜4

设int m=0；，执行表达式m||(m=2)||(m=3)||(m=4)后，m的值是______。

理想的氧化膜的厚度是（）。 A: 0.2～2μm B: 3～4μm C: 5～6μm D: 7～8μm E: 9～10μm

图示结构各杆EI=常数，杆端弯矩MDE为：（） A: （3／7）m B: （4／7）m C: （1／2）m D: （3／5）m

‌逻辑函数Y = AC + BC'的最小项和的形式是（ ）。‍ A: Y=∑m(0 ,1 ,2 ,3) B: Y=∑m(0 ,1 ,3 ,4) C: Y=∑m(0 ,1 ,2,7) D: Y=∑m(2 ,5 ,6 ,7)

当m取以下哪个值时，能使m%3==2 && m%5==3 && m%7==2为真（）。

若已定义:int m=15; 能正确表示m既能被3整除也能被5整除的是( )。 A: (m/3==0)&& (m/5==0) B: (m/3==0)||(m/5==0) C: (m%3)==0&& (m%5)==0 D: (m%3==0)||(m%5==0)