欠超高hQ和过超高hG的大小表达正确的是( )。 A: hQ>0,hG<0 B: hQ>0,hG>0 C: hQ<0,hG>0 D: hQ<0,hG<0
欠超高hQ和过超高hG的大小表达正确的是( )。 A: hQ>0,hG<0 B: hQ>0,hG>0 C: hQ<0,hG>0 D: hQ<0,hG<0
深浅埋隧道的分界深度为( )。 A: (0~1.5)hq B: (1.5~2)hq C: (2~2.5)hq D: (1.5~2.5)hq
深浅埋隧道的分界深度为( )。 A: (0~1.5)hq B: (1.5~2)hq C: (2~2.5)hq D: (1.5~2.5)hq
土的饱和度值可能变化的范围为()。 A: 100%>Sr>0% B: 100%≥Sr≥0% C: Sr>0% D: Sr≥0%
土的饱和度值可能变化的范围为()。 A: 100%>Sr>0% B: 100%≥Sr≥0% C: Sr>0% D: Sr≥0%
土的饱和度值可能变化的范围为( ) A: Sr>50% B: Sr>0% C: 0%≤Sr≤100% D: 0%<Sr<100%
土的饱和度值可能变化的范围为( ) A: Sr>50% B: Sr>0% C: 0%≤Sr≤100% D: 0%<Sr<100%
SR触发器的约束条件为()。 A: S+R=1 B: SR=1 C: S+R=0 D: SR=0
SR触发器的约束条件为()。 A: S+R=1 B: SR=1 C: S+R=0 D: SR=0
主从SR触发器不再遵从SR=0的约束条件
主从SR触发器不再遵从SR=0的约束条件
与非门构成的SR锁存器的约束条件是()。 A: S+R=0 B: S+R=1 C: SR=0 D: SR=1
与非门构成的SR锁存器的约束条件是()。 A: S+R=0 B: S+R=1 C: SR=0 D: SR=1
由或非门构成的基本SR锁存器的约束条件为( )。 A: SR=1 B: SR=0 C: S+R=1 D: S+R=0
由或非门构成的基本SR锁存器的约束条件为( )。 A: SR=1 B: SR=0 C: S+R=1 D: S+R=0
由门电路组成的SR触发器,输入S、R的约束条件是( )。 A: SR=0 B: SR=1 C: S+R=0 D: S+R=1
由门电路组成的SR触发器,输入S、R的约束条件是( )。 A: SR=0 B: SR=1 C: S+R=0 D: S+R=1
基本SR锁存器和门控SR锁存器在工作中均有约束条件:SR=0。
基本SR锁存器和门控SR锁存器在工作中均有约束条件:SR=0。