用动态规划策略求解矩阵连乘问题1 2 3 4 M*M*M*M，其中1M（20*5）、2M（5*35）、3M（35*4）和4M（4*25），则最优的计算次序为（）。 A: 1 2 3 4 ((M*M)*M)*M B: 1 2 3 4 (M*M)*(M *M ) C: 1 2 3 4 (M*(M *M))*M D: 1 2 3 4 M*(M *(M *M ))
用动态规划策略求解矩阵连乘问题1 2 3 4 M*M*M*M，其中1M（20*5）、2M（5*35）、3M（35*4）和4M（4*25），则最优的计算次序为（）。 A: 1 2 3 4 ((M*M)*M)*M B: 1 2 3 4 (M*M)*(M *M ) C: 1 2 3 4 (M*(M *M))*M D: 1 2 3 4 M*(M *(M *M ))
【单选题】大小相等、方向与作用线均相同的4个力 F 1 、 F 2 、 F 3 、 F 4 对同一点 O 之矩分别用 M 1 、 M 2 、 M 3 、 M 4 表示,则 A. M 1 > M 2 > M 3 > M 4 B. M 1 < M 2 < M 3 < M 4 C. M 1 + M 2 > M 3 > M 4 D. M 1 = M 2 = M 3 = M 4
【单选题】大小相等、方向与作用线均相同的4个力 F 1 、 F 2 、 F 3 、 F 4 对同一点 O 之矩分别用 M 1 、 M 2 、 M 3 、 M 4 表示,则 A. M 1 > M 2 > M 3 > M 4 B. M 1 < M 2 < M 3 < M 4 C. M 1 + M 2 > M 3 > M 4 D. M 1 = M 2 = M 3 = M 4
石蜡切片的厚度一般要求是() A: 2μm B: 8μm C: 4～6μm D: 15μm E: 10μm
石蜡切片的厚度一般要求是() A: 2μm B: 8μm C: 4～6μm D: 15μm E: 10μm
质点作直线运动,运动方程为(SI制),则质点在最初2秒内的位移为() A: -6 m; B: 4 m; C: -4 m; D: 6 m。
质点作直线运动,运动方程为(SI制),则质点在最初2秒内的位移为() A: -6 m; B: 4 m; C: -4 m; D: 6 m。
若有定义：int m[5][6],则对数组m中某元素的正确引用是( ). A: m[2][4] B: m[2][6] C: m（3） D: m[4]
若有定义：int m[5][6],则对数组m中某元素的正确引用是( ). A: m[2][4] B: m[2][6] C: m（3） D: m[4]
当滑轮组倍率为（），均衡滑轮布置在动滑轮上。 A: m=2 B: m=3 C: m=4 D: m=6
当滑轮组倍率为（），均衡滑轮布置在动滑轮上。 A: m=2 B: m=3 C: m=4 D: m=6
下列原子中电子运动状态表示不合理的是_____ A: n=2、l=2、m=0、ms=+1/2 B: n=3、l=2、m=-2、ms=+1/2 C: n=6、l=4、m=4、ms=-1/2 D: n=6、l=4、m=4、ms=+1/2
下列原子中电子运动状态表示不合理的是_____ A: n=2、l=2、m=0、ms=+1/2 B: n=3、l=2、m=-2、ms=+1/2 C: n=6、l=4、m=4、ms=-1/2 D: n=6、l=4、m=4、ms=+1/2
A1型题 石蜡切片法一般常规切片厚度为（） A: 1～2μm B: 6～8μm C: 1μm以下 D: 4～6μm E: 8μm以上
A1型题 石蜡切片法一般常规切片厚度为（） A: 1～2μm B: 6～8μm C: 1μm以下 D: 4～6μm E: 8μm以上
已知向量a=（m-1,4），向量b=（5，n），若a=b，则m、n的值分别为（） A: m=6，n=5 B: m=6，n=4 C: m=5，n=4 D: m=4，n=6
已知向量a=（m-1,4），向量b=（5，n），若a=b，则m、n的值分别为（） A: m=6，n=5 B: m=6，n=4 C: m=5，n=4 D: m=4，n=6
理想的氧化膜的厚度是（）。 A: 0.2～2μm B: 3～4μm C: 5～6μm D: 7～8μm E: 9～10μm
理想的氧化膜的厚度是（）。 A: 0.2～2μm B: 3～4μm C: 5～6μm D: 7～8μm E: 9～10μm