高分子溶解在良溶剂中，则（ ）。 A: χ1＞1/2, Δμ1 E＞0 B: χ1＞1/2, Δμ1 E＜0 C: χ1＜1/2, Δμ1E＞0， D: χ1＜1/2, Δμ1 E＜0
高分子溶解在良溶剂中，则（ ）。 A: χ1＞1/2, Δμ1 E＞0 B: χ1＞1/2, Δμ1 E＜0 C: χ1＜1/2, Δμ1E＞0， D: χ1＜1/2, Δμ1 E＜0
A: -2 B: 2 C: 1 D: -1 E: 0
A: -2 B: 2 C: 1 D: -1 E: 0
其假设检验的H0为 A: μd＝0 B: μd≠0 C: μ1≠μ2 D: μ1=μ2 E: μd≥0
其假设检验的H0为 A: μd＝0 B: μd≠0 C: μ1≠μ2 D: μ1=μ2 E: μd≥0
设方阵`\A`满足`\A^2 - A - 2E = 0`，则`\A^{-1}=` （ ） A: \[\frac{1}{2}(A - E)\] B: \[\frac{1}{2}(A + E)\] C: \[\frac{1}{4}(A - E)\] D: \[\frac{1}{4}(A + E)\]
设方阵`\A`满足`\A^2 - A - 2E = 0`，则`\A^{-1}=` （ ） A: \[\frac{1}{2}(A - E)\] B: \[\frac{1}{2}(A + E)\] C: \[\frac{1}{4}(A - E)\] D: \[\frac{1}{4}(A + E)\]
配对设计t检验，其零假设为（ ） A: μ1 = μ2 B: μ1 ＞ μ2 C: μ1 ＜ μ2 D: μ = μ0 E: μd = 0
配对设计t检验，其零假设为（ ） A: μ1 = μ2 B: μ1 ＞ μ2 C: μ1 ＜ μ2 D: μ = μ0 E: μd = 0
单样本t检验，其零假设为（ ）。 A: μ1 = μ2 B: μ1 ＞ μ2 C: μ1 ＜ μ2 D: μ = μ0 E: μd = 0
单样本t检验，其零假设为（ ）。 A: μ1 = μ2 B: μ1 ＞ μ2 C: μ1 ＜ μ2 D: μ = μ0 E: μd = 0
向量(1, 0 , -2)与向量(0, 1, -2)的数量积 = A: 4 B: 6 C: -4 D: 1 E: 0
向量(1, 0 , -2)与向量(0, 1, -2)的数量积 = A: 4 B: 6 C: -4 D: 1 E: 0
background:url(2、png),url(1、jpg),url(3、png),url(4、jpg);},表示哪张图片处在最上层() A: 2、png B: 1、jpg C: 3、png D: 4、jpg
background:url(2、png),url(1、jpg),url(3、png),url(4、jpg);},表示哪张图片处在最上层() A: 2、png B: 1、jpg C: 3、png D: 4、jpg
该检验的无效假设为 A: μ1=μ2 B: π1=π2 C: μ1=0 D: μ1≠μ2 E: π1=π2
该检验的无效假设为 A: μ1=μ2 B: π1=π2 C: μ1=0 D: μ1≠μ2 E: π1=π2
4d轨道的磁量子数可能有 ( ) A: 0，1，2 B: 1，2，3 C: 0，+1 D: 0，+1，+2 E: -2
4d轨道的磁量子数可能有 ( ) A: 0，1，2 B: 1，2，3 C: 0，+1 D: 0，+1，+2 E: -2