【单选题】如图, AB 两点间电压 U AB =______ 。 A . E 1 - E 2 - IR B . E 2 - E 1 - IR C . E 2 - E 1 + IR D . E 1 - E 2 + IR A. E 1 - E 2 - IR B. E 2 - E 1 - IR C. E 2 - E 1 + IR D. E 1 - E 2 + IR
【单选题】如图, AB 两点间电压 U AB =______ 。 A . E 1 - E 2 - IR B . E 2 - E 1 - IR C . E 2 - E 1 + IR D . E 1 - E 2 + IR A. E 1 - E 2 - IR B. E 2 - E 1 - IR C. E 2 - E 1 + IR D. E 1 - E 2 + IR
测者1的经度λ1=110W的地方平时LMT1=08 A: 09(15/9) B: 07(15/9) C: 08(14/9) D: 08(14/9)
测者1的经度λ1=110W的地方平时LMT1=08 A: 09(15/9) B: 07(15/9) C: 08(14/9) D: 08(14/9)
电压的单位是伏特用()表示。 A: U B: IR C: V
电压的单位是伏特用()表示。 A: U B: IR C: V
基尔霍夫定律的公式表现形式为( )。 A: ΣI=0 B: ΣU=IR C: Σ=IR D: Σ=0 E: Σ=1
基尔霍夫定律的公式表现形式为( )。 A: ΣI=0 B: ΣU=IR C: Σ=IR D: Σ=0 E: Σ=1
直线AB的坐标方位角为190°18′52″,左角∠ABC的值为80°52′16″,则BC的坐标方位角为____。 A. 191°11′08″B. 91°11′08″C. 271°11′08″ D. 1°11′08″
直线AB的坐标方位角为190°18′52″,左角∠ABC的值为80°52′16″,则BC的坐标方位角为____。 A. 191°11′08″B. 91°11′08″C. 271°11′08″ D. 1°11′08″
由3个n选1的多路模拟开关构成一个3n选1的多路模拟开关,设断开开关的漏电流是IR,采用分层组合电路接法时,该模拟开关的总的漏电流是:() A: (3n-1)IR B: (n-1)IR C: (n1)IR D: (3n1)IR
由3个n选1的多路模拟开关构成一个3n选1的多路模拟开关,设断开开关的漏电流是IR,采用分层组合电路接法时,该模拟开关的总的漏电流是:() A: (3n-1)IR B: (n-1)IR C: (n1)IR D: (3n1)IR
WMA格式压缩率一般可以达到() A: 1:18 B: 1:10 C: 1:08 D: 1:12
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“项号”栏应填报( )。 A: 01 B: ...... C: 02 D: ...... E: 03 F: 07 G: ...... H: 06 I: ...... J: 08 K: 01/07 L: ....... M: 02/06 N: ....... O: 03/08 P: ....... Q: 01 R: 07 S: ...... T: 02 U: 06 V: ...... W: 03 X: 08
“项号”栏应填报( )。 A: 01 B: ...... C: 02 D: ...... E: 03 F: 07 G: ...... H: 06 I: ...... J: 08 K: 01/07 L: ....... M: 02/06 N: ....... O: 03/08 P: ....... Q: 01 R: 07 S: ...... T: 02 U: 06 V: ...... W: 03 X: 08
【单选题】底面半径为 R高为R的圆锥体积为V 1 ,半径为 R的半球体积是V 2 ,底面半径为 R高为R的圆柱体积为V 3 ,则有() A. V 1 :V 2 :V 3 =1:4:9 B. V 1 :V 2 :V 3 =1:2:3 C. V 1 :V 2 :V 3 =1:3:5 D. A.V 2 2 =V 1 V 3
【单选题】底面半径为 R高为R的圆锥体积为V 1 ,半径为 R的半球体积是V 2 ,底面半径为 R高为R的圆柱体积为V 3 ,则有() A. V 1 :V 2 :V 3 =1:4:9 B. V 1 :V 2 :V 3 =1:2:3 C. V 1 :V 2 :V 3 =1:3:5 D. A.V 2 2 =V 1 V 3
海相原油中微量元素V、Ni含量的特征为( )。? Ni、V含量高,V/Ni>1|Ni、V含量高,V/Ni<1|Ni、V含量低,V/Ni>1|Ni、V含量低,V/Ni<1
海相原油中微量元素V、Ni含量的特征为( )。? Ni、V含量高,V/Ni>1|Ni、V含量高,V/Ni<1|Ni、V含量低,V/Ni>1|Ni、V含量低,V/Ni<1