图示结构，其对A点之矩的平衡方程为（） A: mA（F）=m+PsinθL/2+2Qa+mA=0 B: mA（F）=-m-PsinθL/2+Qa=0 C: mA（F）=-mL-PL/2+Qa/2+mA=0 D: mA（F）=-m-PsinθL/2+Qa+mA=0
图示结构，其对A点之矩的平衡方程为（） A: mA（F）=m+PsinθL/2+2Qa+mA=0 B: mA（F）=-m-PsinθL/2+Qa=0 C: mA（F）=-mL-PL/2+Qa/2+mA=0 D: mA（F）=-m-PsinθL/2+Qa+mA=0
结构在图示荷载作用下，AB杆A端截面的剪力为（ ）。[img=278x279]180316f34ab07c7.jpg[/img] A: 0 B: - qa C: qa D: qa/2
结构在图示荷载作用下，AB杆A端截面的剪力为（ ）。[img=278x279]180316f34ab07c7.jpg[/img] A: 0 B: - qa C: qa D: qa/2
结构在图示荷载作用下，AB杆A端截面的剪力为（ ）。[img=278x279]18035f0e8b22d2b.jpg[/img] A: 0 B: - qa C: qa D: qa/2
结构在图示荷载作用下，AB杆A端截面的剪力为（ ）。[img=278x279]18035f0e8b22d2b.jpg[/img] A: 0 B: - qa C: qa D: qa/2
马赫角与马赫数的关系是（ ）。 A: sinμ=（1/Ma）1/2 B: cosμ=（1/Ma）2 C: sinμ=1/Ma D: cosμ=1/Ma
马赫角与马赫数的关系是（ ）。 A: sinμ=（1/Ma）1/2 B: cosμ=（1/Ma）2 C: sinμ=1/Ma D: cosμ=1/Ma
（2）流过每个二极管的平均电流约为 。 A: 0.45 mA B: 0.5 mA C: 0.6 mA D: 1.2 mA
（2）流过每个二极管的平均电流约为 。 A: 0.45 mA B: 0.5 mA C: 0.6 mA D: 1.2 mA
For an n-channel JFFT, IDSS = 8 mA, and VP = -6 V. If VGS = -2 V. What is the value of the drain current ID? A: 2.666 mA B: 3.5 mA C: 3.55 mA D: 5.33 mA
For an n-channel JFFT, IDSS = 8 mA, and VP = -6 V. If VGS = -2 V. What is the value of the drain current ID? A: 2.666 mA B: 3.5 mA C: 3.55 mA D: 5.33 mA
请分别填写:(1)u2=_____(V),i2=_______(mA),i3=_______(mA)*除不尽则填写化简后的分数。(2)u2=_____(V),i2=_______(mA),i3=_______(mA)(3)u2=_____(V),i2=_______(mA),i3=_______(mA)
请分别填写:(1)u2=_____(V),i2=_______(mA),i3=_______(mA)*除不尽则填写化简后的分数。(2)u2=_____(V),i2=_______(mA),i3=_______(mA)(3)u2=_____(V),i2=_______(mA),i3=_______(mA)
下列蓄电池型号中表示免维护蓄电池的是（） A: 6——Q——105 B: 6——QA——105 C: 6——QW——105 D: 6——MA——105
下列蓄电池型号中表示免维护蓄电池的是（） A: 6——Q——105 B: 6——QA——105 C: 6——QW——105 D: 6——MA——105
测得某三极管当IB=20 mA时，IC=2 mA；当IB=60 mA时，IC=5.4 mA。求其b、ICEO及ICBO的值。
测得某三极管当IB=20 mA时，IC=2 mA；当IB=60 mA时，IC=5.4 mA。求其b、ICEO及ICBO的值。
图示结构（EI=常数），D点水平位移（向右为正）为：（） A: qa/（3EI）； B: qa/（6EI）； C: -qa/（3EI）； D: -qa/（6EI）。
图示结构（EI=常数），D点水平位移（向右为正）为：（） A: qa/（3EI）； B: qa/（6EI）； C: -qa/（3EI）； D: -qa/（6EI）。