表达式a*（b+c-d）+e*f的前缀表达式是：（）。 A: +*a-+bcd*ef B: *a-+bcd+*ef C: -+bcd*a+*ef D: abc+d-*ef*+
表达式a*（b+c-d）+e*f的前缀表达式是：（）。 A: +*a-+bcd*ef B: *a-+bcd+*ef C: -+bcd*a+*ef D: abc+d-*ef*+
已知线段AB是线段CD、EF的比例中项，CD=2，EF=8，那么AB=______．
已知线段AB是线段CD、EF的比例中项，CD=2，EF=8，那么AB=______．
下列4组条件中，能判定△ABC∽△DEF的是[ ] [br][/br]A．AB=5，BC=4，∠A=45°；DE=10，EF=8，∠D=45° [br][/br]B．∠A=45°，∠B=55°；∠D=45°，∠F=75° [br][/br]C．BC=4，AC=6，AB=9；DE=18，EF=8，DF=12 [br][/br]D．AB=6，BC=5，∠B=40°；DE=5，EF=4，∠E=40°
下列4组条件中，能判定△ABC∽△DEF的是[ ] [br][/br]A．AB=5，BC=4，∠A=45°；DE=10，EF=8，∠D=45° [br][/br]B．∠A=45°，∠B=55°；∠D=45°，∠F=75° [br][/br]C．BC=4，AC=6，AB=9；DE=18，EF=8，DF=12 [br][/br]D．AB=6，BC=5，∠B=40°；DE=5，EF=4，∠E=40°
十进制数219转化为十六进制数是（） A: 98 B: 9f C: db D: ef
十进制数219转化为十六进制数是（） A: 98 B: 9f C: db D: ef
二进制数11101111对应的十六进制数为( )。 A: EF B: ED C: AC D: BE
二进制数11101111对应的十六进制数为( )。 A: EF B: ED C: AC D: BE
佳能半画幅镜头的标识为() A: EF B: EF—S C: TS—E D: MP—E
佳能半画幅镜头的标识为() A: EF B: EF—S C: TS—E D: MP—E
设f（x）可微，则d（ef（x））=（）。 A: f,（x）dx B: ef（x）dx C: f,（x）ef（x）dx D: ef,（x）dx
设f（x）可微，则d（ef（x））=（）。 A: f,（x）dx B: ef（x）dx C: f,（x）ef（x）dx D: ef,（x）dx
反映左心室舒张功能的指标有（） A: E/A比值 B: EF斜率 C: EPSS D: EF E: FS
反映左心室舒张功能的指标有（） A: E/A比值 B: EF斜率 C: EPSS D: EF E: FS
膨胀土具有一定的胀缩性，根据自由膨胀率指标δef可确定是否为膨胀土。当δef为下列( )范围时，即可定为膨胀土。 A: δef＜20% B: 20%≤δef＜30% C: 30%≤δef＜40% D: δef≥40%
膨胀土具有一定的胀缩性，根据自由膨胀率指标δef可确定是否为膨胀土。当δef为下列( )范围时，即可定为膨胀土。 A: δef＜20% B: 20%≤δef＜30% C: 30%≤δef＜40% D: δef≥40%
金属与n型半导体形成MIS结构，表面层处于反型状态时, 有（ ）。 A: EF＞Ei B: EF=Ei C: EF＜Ei D: EF＜Ev
金属与n型半导体形成MIS结构，表面层处于反型状态时, 有（ ）。 A: EF＞Ei B: EF=Ei C: EF＜Ei D: EF＜Ev