以下选择中端口形态描述正确的是（）。 A: S1808G；8*GE（电） B: S1850-28P；24*GE（电）+4*GE（Combo） C: S2610；8*FE（电）+4*GE（光） D: S5008PV2-EI；8*GE（电）+4*GE（Combo）
以下选择中端口形态描述正确的是（）。 A: S1808G；8*GE（电） B: S1850-28P；24*GE（电）+4*GE（Combo） C: S2610；8*FE（电）+4*GE（光） D: S5008PV2-EI；8*GE（电）+4*GE（Combo）
GE
GE
楼梯单股人流时宽为()建筑规范对楼梯梯段宽度的限定是住宅(),公共建筑()。 A: 600mm〜700mm, 1200mm, & ge; 1300mm B: 550mm700mm, ≥1100mm, ≥1200mm C: 550mm700mm^x^mp; ge; 1200mm, & ge; 1500mm D: 500mm〜600mm, ≥1100mm, ≥1300mm
楼梯单股人流时宽为()建筑规范对楼梯梯段宽度的限定是住宅(),公共建筑()。 A: 600mm〜700mm, 1200mm, & ge; 1300mm B: 550mm700mm, ≥1100mm, ≥1200mm C: 550mm700mm^x^mp; ge; 1200mm, & ge; 1500mm D: 500mm〜600mm, ≥1100mm, ≥1300mm
Si，Ge
Si，Ge
[ $a –ge $b ]
[ $a –ge $b ]
gE、 0.5g
gE、 0.5g
在纯Ge中掺入下列( )元素,Ge将变为p型半导体
在纯Ge中掺入下列( )元素,Ge将变为p型半导体
以下注音不正确的一项是 A: 敷衍：（fū yǎn） B: 筹划：（chóu huà） C: 惦念：（diàn niàn） D: 供给：（gōng geǐ）
以下注音不正确的一项是 A: 敷衍：（fū yǎn） B: 筹划：（chóu huà） C: 惦念：（diàn niàn） D: 供给：（gōng geǐ）
“_____________________________...ge for my position.”
“_____________________________...ge for my position.”
杰克.韦尔奇在通用（GE）担任领导人期间，他对通用（GE）的贡献（）
杰克.韦尔奇在通用（GE）担任领导人期间，他对通用（GE）的贡献（）