一个点电荷q放在立方体中心，则穿过某一表面的电通量为__。 A: 0 B: q/ε0 C: q/6ε0 D: q/4ε0

一点电荷q位于一立方体的中心，通过该立方体每个面的电通量为（）。 A: q/(ε0 ) B: q/(3ε0 ) C: q/(6ε0 ) D: q/(8ε0 )

‍真空中，一点电荷位于一立方体中心，通过立方体每个表面的电通量为：（ ）‍‍‍ A: q/16ε0 B: q/8ε0 C: q/4ε0 D: q/6ε0

‏真空中，一点电荷位于一立方体中心，通过立方体每个表面的电通量为‎ A: q/16ε0 B: q/8ε0 C: q/4ε0 D: q/6ε0

在一个剖面为正六边形的旋转对称体的一个顶点上放置一个点电荷，电量为q，那么，通过该旋转对称体表面的电通量为 A: q/ε0 B: q/2ε0 C: q/4ε0 D: q/6ε0

在页式虚拟存储管理的计算机系统中，运行一个共有8页的作业，且作业在主存中分配到4块主存空间，作业执行时访问页的顺序为6，0，1，2，0，4，3，1，2，6，7，4，2，5，6，请问用FIFO和LRU替换算法时，它们的缺页中断率分别是多少。（要求图示出内存页面变化情况）。 答：（1）、采用FIFO算法： 访问串 6 0 1 2 0 4 3 1 2 6 7 4 2 5 6 驻留集 6 6 6 6 6 4 4 4 4 4 4 4 2 2 2 0 0 0 0 0 3 3 3 3 3 3 3 5 5 1 1 1 1 1 1 1 6 6 6 6 6 6 2 2 2 2 2 2 2 7 7 7 7 7 是否缺页 × × × × × × × × × × 缺页中断率为：10/15=66.67% （2）、采用LRU算法： 访问串 6 0 1 2 0 4 3 1 2 6 7 4 2 5 6 驻留集 6 6 6 6 6 4 4 4 4 6 6 6 6 5 5 0 0 0 0 0 0 0 2 2 2 2 2 2 2 1 1 1 1 3 3 3 3 7 7 7 7 6 2 2 2 2 1 1 1 1 4 4 4 4 是否缺页 × × × × × × × × × × × × × 缺页中断率为：13/15=86.67%

已知多项式a(x)=x^3+6x+2，b(x)=〖2x〗^2+6x+8，要完成两个多项式相加、相乘和相除(a(x))/(b(x))的运算，则以下哪个程序正确( ) A: a= [1 0 6 2]; b= [2 6 8]; C=a+b D=conv(a,b) E=deconv(a,b) B: a= [1 6 2]; b= [2 6 8]; C=a+b D=conv(a,b) [q,r]=deconv(a,b) C: a= [1 0 6 2]; b= [2 6 8]; C=a+(0,b) D=conv(a,b) [q,r]=deconv(a,b) D: a= [1 0 6 2]; b= [2 6 8]; C=a+b D=conv(a,b) [q,r]=deconv(a,b)

真空中有一点电荷 q 位于边长为a 的正立方体的中心,通过此立方体的每一面的电通量各是 ( ). A: q / ( 6 ε 0 ) B: q / ( 8 ε 0 ) C: q / ( 12 ε 0 ) D: q / ( 24 ε 0 )

‎以下程序的输出结果是​‎ int main(void){​‎ int a[10]={1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10}, *p=&a[3], *q=p+2;​‎ printf("%d", *p+*q);​‎ return 0;​‎ }​‎​ A: 16 B: 10 C: 8 D: 6

假设两个时期如t=1,2。这两个时期的产量分别为q 1,q 2。第一期的成本为C 1(q 1),第二期的成本为C 2(q 2,q 1)。“学习效应”是指 ( ) A: ∂C 2/∂q 1>;0 B: ∂C 1/∂q 2<;0 C: ∂C 2/∂q 1<;0 D: ∂C 1/∂q 1<;0