真空中，一点电荷位于一立方体中心，通过立方体每个表面的电通量为：（ ） A: q/16ε0 B: q/8ε0 C: q/4ε0 D: q/6ε0
真空中，一点电荷位于一立方体中心，通过立方体每个表面的电通量为：（ ） A: q/16ε0 B: q/8ε0 C: q/4ε0 D: q/6ε0
真空中，一点电荷位于一立方体中心，通过立方体每个表面的电通量为 A: q/16ε0 B: q/8ε0 C: q/4ε0 D: q/6ε0
真空中，一点电荷位于一立方体中心，通过立方体每个表面的电通量为 A: q/16ε0 B: q/8ε0 C: q/4ε0 D: q/6ε0
一点电荷q位于一立方体的中心，通过该立方体每个面的电通量为（）。 A: q/(ε0 ) B: q/(3ε0 ) C: q/(6ε0 ) D: q/(8ε0 )
一点电荷q位于一立方体的中心，通过该立方体每个面的电通量为（）。 A: q/(ε0 ) B: q/(3ε0 ) C: q/(6ε0 ) D: q/(8ε0 )
一个点电荷q放在立方体中心，则穿过某一表面的电通量为__。 A: 0 B: q/ε0 C: q/6ε0 D: q/4ε0
一个点电荷q放在立方体中心，则穿过某一表面的电通量为__。 A: 0 B: q/ε0 C: q/6ε0 D: q/4ε0
真空中有一点电荷 q 位于边长为a 的正立方体的中心,通过此立方体的每一面的电通量各是 ( ). A: q / ( 6 ε 0 ) B: q / ( 8 ε 0 ) C: q / ( 12 ε 0 ) D: q / ( 24 ε 0 )
真空中有一点电荷 q 位于边长为a 的正立方体的中心,通过此立方体的每一面的电通量各是 ( ). A: q / ( 6 ε 0 ) B: q / ( 8 ε 0 ) C: q / ( 12 ε 0 ) D: q / ( 24 ε 0 )
在一个剖面为正六边形的旋转对称体的一个顶点上放置一个点电荷，电量为q，那么，通过该旋转对称体表面的电通量为 A: q/ε0 B: q/2ε0 C: q/4ε0 D: q/6ε0
在一个剖面为正六边形的旋转对称体的一个顶点上放置一个点电荷，电量为q，那么，通过该旋转对称体表面的电通量为 A: q/ε0 B: q/2ε0 C: q/4ε0 D: q/6ε0
以下程序的输出结果是 int main(void){ int a[10]={1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10}, *p=&a[3], *q=p+2; printf("%d", *p+*q); return 0; } A: 16 B: 10 C: 8 D: 6
以下程序的输出结果是 int main(void){ int a[10]={1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10}, *p=&a[3], *q=p+2; printf("%d", *p+*q); return 0; } A: 16 B: 10 C: 8 D: 6
在点电荷+q的电场中，无穷远处为电势零点，则r处的电势为 A: q/4πrε0 B: 0 C: -q/4πrε0 D: q/4π
在点电荷+q的电场中，无穷远处为电势零点，则r处的电势为 A: q/4πrε0 B: 0 C: -q/4πrε0 D: q/4π
点电荷q外任意闭合曲面的电场强度通量为<br/>( <br/>) A: q/ε0 B: 0 C: ε0/q D: q/4πε0
点电荷q外任意闭合曲面的电场强度通量为<br/>( <br/>) A: q/ε0 B: 0 C: ε0/q D: q/4πε0
P3的研发时间为（）Q A: 2 B: 4 C: 6 D: 8
P3的研发时间为（）Q A: 2 B: 4 C: 6 D: 8