相关与回归分析中。正确的是（） A: r值越大，6值越大 B: r值越小，6值越小 C: r值越大，6值越小 D: r值越小，6值越大 E: r值大小与6值大小无关
相关与回归分析中。正确的是（） A: r值越大，6值越大 B: r值越小，6值越小 C: r值越大，6值越小 D: r值越小，6值越大 E: r值大小与6值大小无关
1（do） 6（la） 是
1（do） 6（la） 是
在闪点测定整个试验期间，试样以的速率升温，且搅拌速率为（） A: 5（℃/min）~6（℃/min）、90（r/min）~120（r/min） B: 6（℃/min）~7（℃/min）、90（r/min）~120（r/min） C: 5（℃/min）~6（℃/min）、90（r/min）~100（r/min） D: 6（℃/min）~7（℃/min）、90（r/min）~100（r/min）
在闪点测定整个试验期间，试样以的速率升温，且搅拌速率为（） A: 5（℃/min）~6（℃/min）、90（r/min）~120（r/min） B: 6（℃/min）~7（℃/min）、90（r/min）~120（r/min） C: 5（℃/min）~6（℃/min）、90（r/min）~100（r/min） D: 6（℃/min）~7（℃/min）、90（r/min）~100（r/min）
sa'dalkllyu/r，6
sa'dalkllyu/r，6
将R1寄存器中的指定位bit0和bit3清零，以下ARM汇编指令正确的是（）。 A: ANDR1,R1,0xFFFFFFF6 B: BICR1,R1,0xFFFFFFF6 C: EORR1,R1,0xFFFFFFF6 D: ORRR1,R1,0xFFFFFFF6
将R1寄存器中的指定位bit0和bit3清零，以下ARM汇编指令正确的是（）。 A: ANDR1,R1,0xFFFFFFF6 B: BICR1,R1,0xFFFFFFF6 C: EORR1,R1,0xFFFFFFF6 D: ORRR1,R1,0xFFFFFFF6
对具有14个元素的有序表R[14]进行折半查找，查找R[3]时比较需要比较（ ）。 A: R[0]R[1]R[2]R[3] B: R[6]R[2]R[4]R[3] C: R[0]R[13]R[2]R[3] D: R[6]R[4]R[2]R[3]
对具有14个元素的有序表R[14]进行折半查找，查找R[3]时比较需要比较（ ）。 A: R[0]R[1]R[2]R[3] B: R[6]R[2]R[4]R[3] C: R[0]R[13]R[2]R[3] D: R[6]R[4]R[2]R[3]
下列语句序列执行后，r的值是( )。 char ch='A'; int r=6; switch( ch+5 ) { case 'A': r=r+3; case 'B': r=r+5; case 'C': r-=6; break; default : r/=2; }
下列语句序列执行后，r的值是( )。 char ch='A'; int r=6; switch( ch+5 ) { case 'A': r=r+3; case 'B': r=r+5; case 'C': r-=6; break; default : r/=2; }
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直线回归与相关分析中。正确的是（） A: p=0时，r=0 B: ｜r｜>0.6>0 C: r>0时，6<0 D: r<0时，6<0 E: ｜r｜=1时b=1
直线回归与相关分析中。正确的是（） A: p=0时，r=0 B: ｜r｜>0.6>0 C: r>0时，6<0 D: r<0时，6<0 E: ｜r｜=1时b=1
一个RL串联电路的阻抗Z=6+j8Ω，该电路的电阻、感抗及功率因数角分别为( ) A: R=8Ω，XL=6Ω，=arctan4/3 B: R=6Ω，XL=8Ω，=arctan4/3 C: R=6Ω，XL=8Ω，=arctan3/4 D: R=8Ω，XL=6Ω，=arctan3/4
一个RL串联电路的阻抗Z=6+j8Ω，该电路的电阻、感抗及功率因数角分别为( ) A: R=8Ω，XL=6Ω，=arctan4/3 B: R=6Ω，XL=8Ω，=arctan4/3 C: R=6Ω，XL=8Ω，=arctan3/4 D: R=8Ω，XL=6Ω，=arctan3/4