金属与N型半导体形成阻挡层，满足（） A: Wm>Ws B: Wm<Ws C: Wm= Ws D: 无法确定
金属与N型半导体形成阻挡层，满足（） A: Wm>Ws B: Wm<Ws C: Wm= Ws D: 无法确定
因果系统的时域充分必要条件是（ ） A: h(t)<0，t<0 B: h(t)=0，t<0 C: h(t)>0，t<0 D: h(t)=0，t>0
因果系统的时域充分必要条件是（ ） A: h(t)<0，t<0 B: h(t)=0，t<0 C: h(t)>0，t<0 D: h(t)=0，t>0
金属和某半导体接触形成电子阻挡层的条件是（ ）。 A: Wm＞Ws，n型 B: Wm＞Ws，p型 C: Wm＜Ws，n型 D: Wm＜Ws，p型
金属和某半导体接触形成电子阻挡层的条件是（ ）。 A: Wm＞Ws，n型 B: Wm＞Ws，p型 C: Wm＜Ws，n型 D: Wm＜Ws，p型
在降雨径流相关图上，45°线相当于Pa（）的等值线。 A: 等于WM B: 大于WM C: 小于WM D: 等于零
在降雨径流相关图上，45°线相当于Pa（）的等值线。 A: 等于WM B: 大于WM C: 小于WM D: 等于零
WM是什么
WM是什么
金属与n 型半导体形成阻挡层，其功函数需满足（ ） A: Wm＞Ws B: 其他 C: Wm =Ws D: Wm ＜Ws
金属与n 型半导体形成阻挡层，其功函数需满足（ ） A: Wm＞Ws B: 其他 C: Wm =Ws D: Wm ＜Ws
若正弦波形与坐标原点重合则有（）。 A: t=0；Φ>0 B: t=0；Φ=0 C: t=0；Φ<0 D: t=0；Φ=180°
若正弦波形与坐标原点重合则有（）。 A: t=0；Φ>0 B: t=0；Φ=0 C: t=0；Φ<0 D: t=0；Φ=180°
对于理想气体,下述结论中正确的是:() A: 、(¶H/¶T)V=0 (¶H/¶V)T=0 B: 、(¶H/¶T)p=0(¶H/¶p)T=0 C: 、(¶H/¶T)p=0(¶H/¶V)T=0 D: 、(¶H/¶V)T=0 (¶H/¶p)T=0
对于理想气体,下述结论中正确的是:() A: 、(¶H/¶T)V=0 (¶H/¶V)T=0 B: 、(¶H/¶T)p=0(¶H/¶p)T=0 C: 、(¶H/¶T)p=0(¶H/¶V)T=0 D: 、(¶H/¶V)T=0 (¶H/¶p)T=0
【单选题】20、关于单位阶跃信号与单位冲激信号说法正确的是()。 A、对于单位阶跃信号ε(t),当t>0时ε(t)=0,当t<0时ε(t)=1。 B、对于单位阶跃信号ε(t),当t≥0时ε(t)=1,当t<0时ε(t)=0。 C、对于单位冲激信号δ(t),当t≠0,δ(t)=0;当t=0,δ(t)≠0。 D、对于单位冲激信号δ(t),当t=0,δ(t)=0;当t≠0,δ(t)≠0。 A. A B. B C. C D. D
【单选题】20、关于单位阶跃信号与单位冲激信号说法正确的是()。 A、对于单位阶跃信号ε(t),当t>0时ε(t)=0,当t<0时ε(t)=1。 B、对于单位阶跃信号ε(t),当t≥0时ε(t)=1,当t<0时ε(t)=0。 C、对于单位冲激信号δ(t),当t≠0,δ(t)=0;当t=0,δ(t)≠0。 D、对于单位冲激信号δ(t),当t=0,δ(t)=0;当t≠0,δ(t)≠0。 A. A B. B C. C D. D
实际气体的节流膨胀过程中( ) A: Q=0, ΔH=0, ΔT=0 B: Q=0, ΔH=0, ΔT<;0 C: Q=0, ΔH=0, ΔT>;0 D: Q=0, ΔH=0, ΔT不确定
实际气体的节流膨胀过程中( ) A: Q=0, ΔH=0, ΔT=0 B: Q=0, ΔH=0, ΔT<;0 C: Q=0, ΔH=0, ΔT>;0 D: Q=0, ΔH=0, ΔT不确定