25Mn的电子排布式是,17Cl-的电子排布式。
25Mn的电子排布式是,17Cl-的电子排布式。
下列离子中属于9—17电子构型的是（） A: Cl B: Ca C: Cu D: Zn
下列离子中属于9—17电子构型的是（） A: Cl B: Ca C: Cu D: Zn
下列原子或离子中，具有与 Ar 原子相同电子构型的是 A: 11Na+ B: 16S2- C: 10Ne D: 17Cl-
下列原子或离子中，具有与 Ar 原子相同电子构型的是 A: 11Na+ B: 16S2- C: 10Ne D: 17Cl-
根据原子结构及元素周期律的知识，下列推断正确的是 A: 同主族元素含氧酸的酸性随核电荷数的增加而减弱 B: 核外电子排布相同的微粒化学性质也相同 C: Cl－、S2－、Ca2＋、K＋半径逐渐减小 D: 17(35)Cl与17(37)Cl得电子能力相同
根据原子结构及元素周期律的知识，下列推断正确的是 A: 同主族元素含氧酸的酸性随核电荷数的增加而减弱 B: 核外电子排布相同的微粒化学性质也相同 C: Cl－、S2－、Ca2＋、K＋半径逐渐减小 D: 17(35)Cl与17(37)Cl得电子能力相同
突触后膜对哪些离子通透性增加引起抑制性突触后电位（）。 A: B: Cl，尤其是K C: Na、Cl，尤其是Na D: E: Cl，尤其是Cl F: Ca、Cl，尤其是Ca G: Na、Cl，尤其是Cl
突触后膜对哪些离子通透性增加引起抑制性突触后电位（）。 A: B: Cl，尤其是K C: Na、Cl，尤其是Na D: E: Cl，尤其是Cl F: Ca、Cl，尤其是Ca G: Na、Cl，尤其是Cl
突触后膜对哪些离子通透性增加引起抑制性突触后电位( ) A: K+、Cl–尤其是K+ B: Na+、Cl–尤其是Na+ C: K+、Cl–,尤其是Cl– D: Ca2+、Cl–,尤其是Ca2+ E: Na+、Cl–,尤其是Cl–
突触后膜对哪些离子通透性增加引起抑制性突触后电位( ) A: K+、Cl–尤其是K+ B: Na+、Cl–尤其是Na+ C: K+、Cl–,尤其是Cl– D: Ca2+、Cl–,尤其是Ca2+ E: Na+、Cl–,尤其是Cl–
下列各化学键极性最大的是（）。 A: B—Cl B: Ba—Cl C: Be—Cl D: Br—Cl
下列各化学键极性最大的是（）。 A: B—Cl B: Ba—Cl C: Be—Cl D: Br—Cl
用H2O和Cl作配体，写出Ni2+的正八面体非电解质配合物（） A: 〔Ni（HO）Cl〕 B: 〔Ni（HO）Cl〕Cl C: 〔Ni（HO）Cl〕 D: 〔Ni（HO）Cl〕
用H2O和Cl作配体，写出Ni2+的正八面体非电解质配合物（） A: 〔Ni（HO）Cl〕 B: 〔Ni（HO）Cl〕Cl C: 〔Ni（HO）Cl〕 D: 〔Ni（HO）Cl〕
与兴奋性突触后电位形成有关的离子是（） A: Na，尤其是K B: Na，尤其是Na C: Na、Cl，尤其是Cl D: Ca、K、Cl，尤其是K E: Cl，尤其是Cl
与兴奋性突触后电位形成有关的离子是（） A: Na，尤其是K B: Na，尤其是Na C: Na、Cl，尤其是Cl D: Ca、K、Cl，尤其是K E: Cl，尤其是Cl
已知八面体络合物CrCl3·4NH3·2H2O，向该络合物溶液中加入足量AgNO3溶液，有2/3的Cl生成AgCl沉淀，该络合物的结构式为（） A: [Cr(NH)(HO)]Cl B: [Cr(NH)(HO)Cl]Cl C: [Cr(NH)(HO)CL]Cl·HO D: [Cr(NH)Cl]Cl·2HO
已知八面体络合物CrCl3·4NH3·2H2O，向该络合物溶液中加入足量AgNO3溶液，有2/3的Cl生成AgCl沉淀，该络合物的结构式为（） A: [Cr(NH)(HO)]Cl B: [Cr(NH)(HO)Cl]Cl C: [Cr(NH)(HO)CL]Cl·HO D: [Cr(NH)Cl]Cl·2HO