理论制冷系数的计算方法是（） A: ωo/qo B: qo/ωo C: ωo/qk D: qk/ωo

sp___ts () A: or B: fr C: er D: qo

(siz, kuylamoq) Bu qo‘shiqni baland ovozda _____________, chunki, bu – madhiya.

【单选题】下面程序执行结果() #include main() { int i ,j ; for(i=1; i<=5; i++) { for(j=1; j<=i; j++) printf("%2d",i); printf(" ",); } } A. 1 2 2 3 3 3 4 4 4 4 5 5 5 5 5 B. 1 2 3 4 5 C. 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 D. 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5

求函数[tex=5.0x1.714]qO/HJDLZqW+jr1rqMh6K5Wv/3TKdUslK/+5dx0Ke90o=[/tex]的反函数。

在用试探电荷检测电场时，电场强度的定义为：则（） A: E与qo成反比 B: 如果没有把试探电荷qo放在这一点上，则E=0 C: 试探电荷的电量qo应尽可能小，甚至可以小于电子的电量 D: 试探电荷的体积应尽可能小，以致可以检测一点的场强

设X-N（5,4）,则P（2（） A: φ（5）- φ（1） B: φ（1）- φ（5） C: φ（-1）- φ（-5） D: φ（-5）- φ（-1）

设某[tex=2.5x1.0]ISrXQn/PAgNNYgLmZ7hi4ScnxAuDYZygFl3/QO/Ixlc=[/tex] 调制系统的码元速率为 [tex=4.357x1.0]WE49LCa1dwcLJWI1mL5ahqOAT2F4KUPuvixITNj8qLA=[/tex], 已调信号的载频分别为 [tex=3.214x1.0]GxaaIzDOZiVOL/daIYkmUVb91e20cbwvtXQKvC+ZYow=[/tex](对应“1”码)和[tex=3.214x1.0]voGxzMevOxlYEI3oyziLjK4AUnSrGI60BJU89VHOKLA=[/tex] (对应“0”码).讨论应选择什么解调方法解调该[tex=2.5x1.0]ISrXQn/PAgNNYgLmZ7hi4ScnxAuDYZygFl3/QO/Ixlc=[/tex]信号。

在用试探电荷检测电场时，电场强度的定义为：[img=105x73]17e0ba601dbdbe6.png[/img]则（ ） A: E与qo成反比 B: 如果没有把试探电荷qo放在这一点上，则E=0 C: 试探电荷的电量qo应尽可能小，甚至可以小于电子的电量 D: 试探电荷的体积应尽可能小，以致可以检测一点的场强

一个待排序的数据元素序列为{5, 4, 3, 2, 1}，采用基本插入排序对其进行排序，以下（ ）是插入排序每一趟的结果。 A: 4 5 3 2 1 3 4 5 2 1 2 3 4 5 1 1 2 3 4 5 B: 5 4 3 1 2 5 4 1 2 3 5 1 2 3 4 1 2 3 4 5 C: 4 3 2 1 5 3 2 1 5 4 2 1 5 4 3 1 5 4 3 2 D: 4 5 3 2 1 2 3 4 5 1 3 4 5 2 1 1 2 3 4 5