某主板说明书上有"Realtek 8201CL 10/100 Mbps"一块芯片,它指的是芯片

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2021-04-14 问题

某主板说明书上有"Realtek 8201CL 10/100 Mbps"一块芯片,它指的是芯片

2022-06-11 问题

突触后膜对哪些离子通透性增加引起抑制性突触后电位（）。 A: B: Cl，尤其是K C: Na、Cl，尤其是Na D: E: Cl，尤其是Cl F: Ca、Cl，尤其是Ca G: Na、Cl，尤其是Cl

突触后膜对哪些离子通透性增加引起抑制性突触后电位（）。 A: B: Cl，尤其是K C: Na、Cl，尤其是Na D: E: Cl，尤其是Cl F: Ca、Cl，尤其是Ca G: Na、Cl，尤其是Cl

2022-06-11 问题

突触后膜对哪些离子通透性增加引起抑制性突触后电位( ) A: K+、Cl–尤其是K+ B: Na+、Cl–尤其是Na+ C: K+、Cl–,尤其是Cl– D: Ca2+、Cl–,尤其是Ca2+ E: Na+、Cl–,尤其是Cl–

突触后膜对哪些离子通透性增加引起抑制性突触后电位( ) A: K+、Cl–尤其是K+ B: Na+、Cl–尤其是Na+ C: K+、Cl–,尤其是Cl– D: Ca2+、Cl–,尤其是Ca2+ E: Na+、Cl–,尤其是Cl–

2022-07-27 问题

下列各化学键极性最大的是（）。 A: B—Cl B: Ba—Cl C: Be—Cl D: Br—Cl

2022-07-24 问题

用H2O和Cl作配体，写出Ni2+的正八面体非电解质配合物（） A: 〔Ni（HO）Cl〕 B: 〔Ni（HO）Cl〕Cl C: 〔Ni（HO）Cl〕 D: 〔Ni（HO）Cl〕

2022-06-14 问题

与兴奋性突触后电位形成有关的离子是（） A: Na，尤其是K B: Na，尤其是Na C: Na、Cl，尤其是Cl D: Ca、K、Cl，尤其是K E: Cl，尤其是Cl

2022-06-12 问题

已知八面体络合物CrCl3·4NH3·2H2O，向该络合物溶液中加入足量AgNO3溶液，有2/3的Cl生成AgCl沉淀，该络合物的结构式为（） A: [Cr(NH)(HO)]Cl B: [Cr(NH)(HO)Cl]Cl C: [Cr(NH)(HO)CL]Cl·HO D: [Cr(NH)Cl]Cl·2HO

已知八面体络合物CrCl3·4NH3·2H2O，向该络合物溶液中加入足量AgNO3溶液，有2/3的Cl生成AgCl沉淀，该络合物的结构式为（） A: [Cr(NH)(HO)]Cl B: [Cr(NH)(HO)Cl]Cl C: [Cr(NH)(HO)CL]Cl·HO D: [Cr(NH)Cl]Cl·2HO

2022-07-02 问题

起始浓度分别为c1和c2的分子电解质刚果红NaR与KCl溶液分布在半透膜两边，其膜平衡条件是什么？ A: [K+]内/[K+]外=[Na]内/[Na]外=[Cl]外/[Cl]内 B: [Na]内[Cl]内=[Na]外[Cl]外 C: [K]内[Cl]内=[K]外[Cl]外 D: [Na]内[Cl]内+[K]内[Cl]内=[Na]外[Cl]外+[K]外[Cl]外

起始浓度分别为c1和c2的分子电解质刚果红NaR与KCl溶液分布在半透膜两边，其膜平衡条件是什么？ A: [K+]内/[K+]外=[Na]内/[Na]外=[Cl]外/[Cl]内 B: [Na]内[Cl]内=[Na]外[Cl]外 C: [K]内[Cl]内=[K]外[Cl]外 D: [Na]内[Cl]内+[K]内[Cl]内=[Na]外[Cl]外+[K]外[Cl]外

2021-04-14 问题

基元反应H + Cl 2 → HCl + Cl是（

2022-06-14 问题

与兴奋性突触后电位形成有关的离子是（） A: B: Na，尤其是K C: D: Na，尤其是Na E: F: Na、Cl，尤其是Cl G: Ca、 H: Cl，尤其是K I: J: Cl，尤其是Cl

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