“碑帖”的正确读音是 A: bēitiě B: bēitiè
“碑帖”的正确读音是 A: bēitiě B: bēitiè
下列不是研制确定AIS的功能及性能标准的组织的是：（） A: IMO B: IALA C: ITI-R D: IHO
下列不是研制确定AIS的功能及性能标准的组织的是：（） A: IMO B: IALA C: ITI-R D: IHO
TCON中的位用来选择外部中断0触发方式（） A: ITO B: ITI C: IEO D: IEl
TCON中的位用来选择外部中断0触发方式（） A: ITO B: ITI C: IEO D: IEl
R是二元关系，且R=RºRºRºRº，那么下面哪一个不一定是传递的? A: R B: RºR C: RºRºR D: RºRºRºR
R是二元关系，且R=RºRºRºRº，那么下面哪一个不一定是传递的? A: R B: RºR C: RºRºR D: RºRºRºR
已知电阻R A: R＝R＝R B: R＝R＋R C: R＝1／R＋1／R D: R＝1／R＝1／R
已知电阻R A: R＝R＝R B: R＝R＋R C: R＝1／R＋1／R D: R＝1／R＝1／R
三个电阻的特性曲线如图所示，它们的阻值关系应为（）。 A: R＞R＞R B: R＞R＞R C: R＞R＞R D: R＝R＝R
三个电阻的特性曲线如图所示，它们的阻值关系应为（）。 A: R＞R＞R B: R＞R＞R C: R＞R＞R D: R＝R＝R
【单选题】电桥平衡条件是: A. R 1 R 3 = R 2 R 4 B. R 1 R 4 = R 2 R 3 C. R 1 R 2 = R 3 R 4 D. R 1> R 4 , R 2> R 3
【单选题】电桥平衡条件是: A. R 1 R 3 = R 2 R 4 B. R 1 R 4 = R 2 R 3 C. R 1 R 2 = R 3 R 4 D. R 1> R 4 , R 2> R 3
令R1={(a,b)∈R×R|a>b},R2={{(a,b)∈R×R|a≥b}},则R1∪R2 A: {{(a,b)∈R×R|a≥b}} B: {(a,b)∈R×R|a>b} C: {(a,b)∈R×R|a=b} D: {(a,b)∈R×R|a
令R1={(a,b)∈R×R|a>b},R2={{(a,b)∈R×R|a≥b}},则R1∪R2 A: {{(a,b)∈R×R|a≥b}} B: {(a,b)∈R×R|a>b} C: {(a,b)∈R×R|a=b} D: {(a,b)∈R×R|a
矩阵A,B,C满足AB=C,则这三个矩阵的秩满足关系（ ） A: R(C)min{R(A),R(A)} B: R(C)<=min{R(A),R(A)} C: R(C)min{R(A),R(A)} D: R(C)>=min{R(A),R(A)}
矩阵A,B,C满足AB=C,则这三个矩阵的秩满足关系（ ） A: R(C)min{R(A),R(A)} B: R(C)<=min{R(A),R(A)} C: R(C)min{R(A),R(A)} D: R(C)>=min{R(A),R(A)}
电阻率测井系列显示的低阻侵入，又叫减阻侵入，其特点为（），反之为增阻侵入。 A: R＞R＞R B: R＜R＜R C: R＝R＞R D: R≈R＜R
电阻率测井系列显示的低阻侵入，又叫减阻侵入，其特点为（），反之为增阻侵入。 A: R＞R＞R B: R＜R＜R C: R＝R＞R D: R≈R＜R