用一根硬导线弯成半径为R的半圆形，将其置于磁感应强度为B的均匀磁场中，以频率f旋转，如图所示，这个导体回路中产生的感应电动势ε等于：（） A: （6R+（1／2）πR）2πfBsin2πft B: （6R+（1／2）πR）fBsin2πft C: （1／2）πRfBsin2πft D: （πR））fBsin2πft

相关与回归分析中。正确的是（） A: r值越大，6值越大 B: r值越小，6值越小 C: r值越大，6值越小 D: r值越小，6值越大 E: r值大小与6值大小无关

在闪点测定整个试验期间，试样以的速率升温，且搅拌速率为（） A: 5（℃/min）~6（℃/min）、90（r/min）~120（r/min） B: 6（℃/min）~7（℃/min）、90（r/min）~120（r/min） C: 5（℃/min）~6（℃/min）、90（r/min）~100（r/min） D: 6（℃/min）~7（℃/min）、90（r/min）~100（r/min）

sa'dalkllyu/r，6

将R1寄存器中的指定位bit0和bit3清零，以下ARM汇编指令正确的是（）。 A: ANDR1,R1,0xFFFFFFF6 B: BICR1,R1,0xFFFFFFF6 C: EORR1,R1,0xFFFFFFF6 D: ORRR1,R1,0xFFFFFFF6

对具有14个元素的有序表R[14]进行折半查找，查找R[3]时比较需要比较（ ）。 A: R[0]R[1]R[2]R[3] B: R[6]R[2]R[4]R[3] C: R[0]R[13]R[2]R[3] D: R[6]R[4]R[2]R[3]

下列语句序列执行后，r的值是( )。 char ch='A'; int r=6; switch( ch+5 ) { case 'A': r=r+3; case 'B': r=r+5; case 'C': r-=6; break; default : r/=2; }

直线回归与相关分析中。正确的是（） A: p=0时，r=0 B: ｜r｜>0.6>0 C: r>0时，6<0 D: r<0时，6<0 E: ｜r｜=1时b=1

一个RL串联电路的阻抗Z=6+j8Ω，该电路的电阻、感抗及功率因数角分别为( ) A: R=8Ω，XL=6Ω，=arctan4/3 B: R=6Ω，XL=8Ω，=arctan4/3 C: R=6Ω，XL=8Ω，=arctan3/4 D: R=8Ω，XL=6Ω，=arctan3/4

一个递增有序表为R&#91;0..11&#93;，采用折半查找方法进行查找，在一次不成功查找中，以下（ ）是不可能的记录比较序列。 A: R[5]、R[8]、R[6] B: R[5]、R[8]、R[10] C: R[5]、R[2]、R[3] D: R[5]、R[8]、R[6]、R[7]