The value of drain current is always ( ) the value of the short circuit drain current IDSS for a given JFET.
The value of drain current is always ( ) the value of the short circuit drain current IDSS for a given JFET.
JFET时电压控制器,他的输入电阻和BJT相比( )。 A: JFET高 B: 相等 C: JFET低 D: 无法确定
JFET时电压控制器,他的输入电阻和BJT相比( )。 A: JFET高 B: 相等 C: JFET低 D: 无法确定
结型场效应管简称JFET
结型场效应管简称JFET
JFET可分为增强型与耗尽型。
JFET可分为增强型与耗尽型。
结型场效应晶体管(JFET)的栅结为(),金属半导体场效应晶体管(MESFET)的栅结为()。JFET有()个栅极,MESFET有()个栅极。
结型场效应晶体管(JFET)的栅结为(),金属半导体场效应晶体管(MESFET)的栅结为()。JFET有()个栅极,MESFET有()个栅极。
JFET的输入电阻比MOSFET的输入电阻小。( )
JFET的输入电阻比MOSFET的输入电阻小。( )
A JFET is a three-terminal device which is (). A: current-controlled device B: voltage-controlled device
A JFET is a three-terminal device which is (). A: current-controlled device B: voltage-controlled device
下图JFET的三个电极标注是正确的。28b971b20602568086a92a0116e38d4f.jpg
下图JFET的三个电极标注是正确的。28b971b20602568086a92a0116e38d4f.jpg
n沟耗尽型JFET,夹断点压是正值。
n沟耗尽型JFET,夹断点压是正值。
BJT是()控制型器件,而JFET是()控制型器件
BJT是()控制型器件,而JFET是()控制型器件