对于一个 u = 110√2*sin（100πt+φ）V的正弦交流电，其有效值是多少（ ）V，最大值是（ ）V。 A: 110√2， 110 B: 110，110√2 C: 100,100√2 D: 110/√2, 110

某fcc晶体中，点阵常数为a＝0.354nm，刃位错b＝a［-110］／2在（111）面上分解形成肖克莱（shockley）不全位错，该全位错分解反应为（ ）。A: a［-110］／2分解为［-211］/6+a［-12-1］/6； B: a［-110］／2 分解为［-110］／4+a［-111］/4。 A: A: a［-110］／2分解为［-211］/6+a［-12-1］/6； B: B: a［-110］／2 分解为［-110］／4+a［-111］/4 C: C: a［-110］／2 分解为［-110］／3+a［-111］/3 D: D. a［-110］／2 分解为［-110］／6+a［-111］/6

某fcc晶体中，点阵常数为a＝0.354nm，刃位错b＝a［-110］／2在（111）面上分解形成肖克莱（shockley）不全位错，该全位错分解反应为（ ）。 A: a［-110］／2 分解为a［-110］／4+a［-111］/4 B: a［-110］／2 分解为a［-110］／6+a［-111］/6 C: a［-110］／2 分解为a［-211］/6+a［-12-1］/6 D: a［-110］／2 分解为a［-110］／3+a［-111］/3

（110）2×（101）2 =（）

在不同的四个数中,最小的一个数是() A: （110）2 B: （110）10 C: （110）8 D: （110）16

某fcc晶体中，点阵常数为a＝0.354nm，刃位错b＝a［-110］／2在（111）面上分解形成肖克莱（shockley）不全位错，依据位错反应的几何条件和能量条件，该全位错的分解反应为（ ）。 A: a［-110］／2 分解为：a［-211］/6+a［-12-1］/6； B: a［-110］／2 分解为：a［-110］／4+a［-111］/4 C: a［-110］／2 分解为：a［-110］／3+a［-111］/3 D: a［-110］／2 分解为：a［-110］／6+a［-111］/6

继电保护直流系统运行中的电压纹波系数应不大于（），最低电压不低于额定电压的（），最高电压不高于额定电压的（）。 A: 2%；85%；110% B: 5%；80%；110% C: 2%；80%；110% D: 5%；85%；110%

BCC结构晶格中能组成滑移系的是（ ）。 A: （110）[110] B: （110）[111] C: （110）[T11] D: （111）[110]

马氏体转变的晶体学K-S关系是（）。 A: （110）γ//（111）M；（111）γ//（110）M， B: （111）γ//（110）M；（110）M//（111）γ， C: （111）γ//（110）M；（110）γ//（111）M

面心立方晶体的滑移系是（ ）。 A: ｛110｝〈112〉 B: ｛112｝〈110〉 C: ｛110｝〈111〉 D: ｛111｝〈110〉