For an n-channel depletion MOSFET, IDSS = 8 mA and VP = -6 V. If VGS = 0.8 V, what is the value of the drain current, ID? A: 8 mA B: 10.25 μA C: 10.28 mA D: 6 mA
For an n-channel depletion MOSFET, IDSS = 8 mA and VP = -6 V. If VGS = 0.8 V, what is the value of the drain current, ID? A: 8 mA B: 10.25 μA C: 10.28 mA D: 6 mA
12Ω和8Ω的电阻串联，电路的总电压是20V，这两电阻的电压分别是（） A: 16 V、4 V B: 8 V、6 V C: 12 V、8 V D: 8 V、12 V
12Ω和8Ω的电阻串联，电路的总电压是20V，这两电阻的电压分别是（） A: 16 V、4 V B: 8 V、6 V C: 12 V、8 V D: 8 V、12 V
数学.-8的绝对值是？（） A: -8 B: 8 C: ±8 D: -1/8
数学.-8的绝对值是？（） A: -8 B: 8 C: ±8 D: -1/8
已知x(n)={1, 2, 3}，y(n)={1, 2, 1}，则x(n)*y(n)=________。（下划线表示n=0） A: {1, 4, 8, 8, 3} B: {1, 4, 8, 8, 3} C: {1, 4, 8, 8, 3} D: {1, 4, 8, 8, 3}
已知x(n)={1, 2, 3}，y(n)={1, 2, 1}，则x(n)*y(n)=________。（下划线表示n=0） A: {1, 4, 8, 8, 3} B: {1, 4, 8, 8, 3} C: {1, 4, 8, 8, 3} D: {1, 4, 8, 8, 3}
【单选题】rev(c(1,3,2,6,7,8,8,1,1,0))的运行结果 ? A. [1] 0 1 1 1 2 3 6 7 8 8 B. [1] 1 3 2 6 7 8 8 1 1 0 C. [1] 0 1 1 8 8 7 6 2 3 1 D. [1] 8 8 7 6 3 2 1 1 1 0
【单选题】rev(c(1,3,2,6,7,8,8,1,1,0))的运行结果 ? A. [1] 0 1 1 1 2 3 6 7 8 8 B. [1] 1 3 2 6 7 8 8 1 1 0 C. [1] 0 1 1 8 8 7 6 2 3 1 D. [1] 8 8 7 6 3 2 1 1 1 0
8的因数有（ ）。 A: 1和8 B: 1、2和8 C: 1、2、4和8 D: 1
8的因数有（ ）。 A: 1和8 B: 1、2和8 C: 1、2、4和8 D: 1
8(b)求所示电路的静态工作点。设三极管UBEQ=0.7V。IBQ=μA;ICQ=mA;UCEQ=V
8(b)求所示电路的静态工作点。设三极管UBEQ=0.7V。IBQ=μA;ICQ=mA;UCEQ=V
代码[?php$a=1;$b=$a;$c=&$a;$a=8;?],此时$b、$c的值分别是 A: 1和8 B: 8和8 C: 1和1 D: 8和1
代码[?php$a=1;$b=$a;$c=&$a;$a=8;?],此时$b、$c的值分别是 A: 1和8 B: 8和8 C: 1和1 D: 8和1
下列半反应式的配平系数从左至右依次为（） CuS+H2O→SO42-+H++Cu2++e- A: 1、4、1、8、8、1 B: 1、2、2、3、4、2 C: 1、4、1、8、1、8 D: 2、8、2、16、2、8
下列半反应式的配平系数从左至右依次为（） CuS+H2O→SO42-+H++Cu2++e- A: 1、4、1、8、8、1 B: 1、2、2、3、4、2 C: 1、4、1、8、1、8 D: 2、8、2、16、2、8
ROM的存储容量为1K×8，则地址码和数据线的位数分别为：（） A: 8；10 B: 10；8 C: 1；8 D: 8；1
ROM的存储容量为1K×8，则地址码和数据线的位数分别为：（） A: 8；10 B: 10；8 C: 1；8 D: 8；1