根据相图回答问题：熔体1的析晶产物是？[img=890x739]180345a15435b9c.jpg[/img] A: A+S B: A+S+B C: A+S+C D: B+C
根据相图回答问题：熔体1的析晶产物是？[img=890x739]180345a15435b9c.jpg[/img] A: A+S B: A+S+B C: A+S+C D: B+C
根据相图回答问题：熔体1的析晶产物是？[img=890x739]17de87d682c79c3.jpg[/img] A: A+S B: A+S+B C: A+S+C D: B+C
根据相图回答问题：熔体1的析晶产物是？[img=890x739]17de87d682c79c3.jpg[/img] A: A+S B: A+S+B C: A+S+C D: B+C
根据相图回答：熔体2冷却析晶的产物及析晶结束点是？[img=890x682]180345a18b2483e.png[/img] A: B+S+C、N B: B+S+C、M C: A+S+C、E D: A+S+B、M
根据相图回答：熔体2冷却析晶的产物及析晶结束点是？[img=890x682]180345a18b2483e.png[/img] A: B+S+C、N B: B+S+C、M C: A+S+C、E D: A+S+B、M
机械零件的强度条件可以写成____。 A: σ≤[σ],τ≤[τ]或Sσ≤[S]σ,Sτ≤[S]τ B: σ≥[σ],τ≥[τ]或Sσ≥[S]σ,Sτ≥[S]τ C: σ≤[σ],τ≤[τ]或Sσ≥[S]σ,Sτ≥[S]τ D: σ≥[σ],τ≥[τ]或Sσ≤[S]σ,Sτ≤[S]τ
机械零件的强度条件可以写成____。 A: σ≤[σ],τ≤[τ]或Sσ≤[S]σ,Sτ≤[S]τ B: σ≥[σ],τ≥[τ]或Sσ≥[S]σ,Sτ≥[S]τ C: σ≤[σ],τ≤[τ]或Sσ≥[S]σ,Sτ≥[S]τ D: σ≥[σ],τ≥[τ]或Sσ≤[S]σ,Sτ≤[S]τ
球面镜的物距为s，象距为s′，则横向放大率为（）。 A: s′/s B: s/s′ C: -s′/s D: -s/s′
球面镜的物距为s，象距为s′，则横向放大率为（）。 A: s′/s B: s/s′ C: -s′/s D: -s/s′
在进行软件开发时有两种基本架构,( )架构和( )架构 A: B/S、C/S B: B/S、D/S C: C/S、D/S D: C/S、E/S
在进行软件开发时有两种基本架构,( )架构和( )架构 A: B/S、C/S B: B/S、D/S C: C/S、D/S D: C/S、E/S
外阴的神经支配主要是（）。 A: S～S B: S～S C: L～S D: S～S E: L～S
外阴的神经支配主要是（）。 A: S～S B: S～S C: L～S D: S～S E: L～S
以下选择按照软件体系结构划分正确的是： A: 网络，C/S，B/S B: 单机，C/S，B/S C: 单机，C/S，R/S D: 网络，C/S，R/S
以下选择按照软件体系结构划分正确的是： A: 网络，C/S，B/S B: 单机，C/S，B/S C: 单机，C/S，R/S D: 网络，C/S，R/S
对于文法G(S):S → (L) | a S | aL → L , S | S句型(S,(a))的句柄是 A: a B: S C: (a) D: S,(a)
对于文法G(S):S → (L) | a S | aL → L , S | S句型(S,(a))的句柄是 A: a B: S C: (a) D: S,(a)
I(smell)gas.It(smell)awful. A: S/S;D/P B: D/P;S/S C: D/S;D/P D: S/S;S/S
I(smell)gas.It(smell)awful. A: S/S;D/P B: D/P;S/S C: D/S;D/P D: S/S;S/S