用动态规划策略求解矩阵连乘问题1 2 3 4 M*M*M*M，其中1M（20*5）、2M（5*35）、3M（35*4）和4M（4*25），则最优的计算次序为（）。 A: 1 2 3 4 ((M*M)*M)*M B: 1 2 3 4 (M*M)*(M *M ) C: 1 2 3 4 (M*(M *M))*M D: 1 2 3 4 M*(M *(M *M ))
用动态规划策略求解矩阵连乘问题1 2 3 4 M*M*M*M，其中1M（20*5）、2M（5*35）、3M（35*4）和4M（4*25），则最优的计算次序为（）。 A: 1 2 3 4 ((M*M)*M)*M B: 1 2 3 4 (M*M)*(M *M ) C: 1 2 3 4 (M*(M *M))*M D: 1 2 3 4 M*(M *(M *M ))
图示结构各杆EI=常数，杆端弯矩MDE为：（） A: （3／7）m B: （4／7）m C: （1／2）m D: （3／5）m
图示结构各杆EI=常数，杆端弯矩MDE为：（） A: （3／7）m B: （4／7）m C: （1／2）m D: （3／5）m
理想的氧化膜的厚度是（）。 A: 0.2～2μm B: 3～4μm C: 5～6μm D: 7～8μm E: 9～10μm
理想的氧化膜的厚度是（）。 A: 0.2～2μm B: 3～4μm C: 5～6μm D: 7～8μm E: 9～10μm
当m取以下哪个值时，能使m%3==2 && m%5==3 && m%7==2为真（）。
当m取以下哪个值时，能使m%3==2 && m%5==3 && m%7==2为真（）。
镭核经过m次α衰变、n次β衰变变成铅核，则（） A: m=4，n=4 B: m=5，n=3 C: m=4，n=3 D: m=5，n=4
镭核经过m次α衰变、n次β衰变变成铅核，则（） A: m=4，n=4 B: m=5，n=3 C: m=4，n=3 D: m=5，n=4
有以下程序： main( ) {int m; m=10; printf("%d\n",(--m*3/5)); } 程序运行后的输出结果是 。: 4/#/5/#/6/#/7
有以下程序： main( ) {int m; m=10; printf("%d\n",(--m*3/5)); } 程序运行后的输出结果是 。: 4/#/5/#/6/#/7
【单选题】大小相等、方向与作用线均相同的4个力 F 1 、 F 2 、 F 3 、 F 4 对同一点 O 之矩分别用 M 1 、 M 2 、 M 3 、 M 4 表示,则 A. M 1 > M 2 > M 3 > M 4 B. M 1 < M 2 < M 3 < M 4 C. M 1 + M 2 > M 3 > M 4 D. M 1 = M 2 = M 3 = M 4
【单选题】大小相等、方向与作用线均相同的4个力 F 1 、 F 2 、 F 3 、 F 4 对同一点 O 之矩分别用 M 1 、 M 2 、 M 3 、 M 4 表示,则 A. M 1 > M 2 > M 3 > M 4 B. M 1 < M 2 < M 3 < M 4 C. M 1 + M 2 > M 3 > M 4 D. M 1 = M 2 = M 3 = M 4
可吸入性纤维粉尘是指（）。 A: 直径＞3μm，长度＜5μm B: 直径＞3μm，长度≥5μm C: 直径＜3μm，长度＜5μm D: 直径＜3μm，长度≥5μm E: 直径＜3μm，长度≥9μm
可吸入性纤维粉尘是指（）。 A: 直径＞3μm，长度＜5μm B: 直径＞3μm，长度≥5μm C: 直径＜3μm，长度＜5μm D: 直径＜3μm，长度≥5μm E: 直径＜3μm，长度≥9μm
支气管粘液层的厚度约为（） A: 2μm B: 3μm C: 4μm D: 5μm
支气管粘液层的厚度约为（） A: 2μm B: 3μm C: 4μm D: 5μm
若关于x的二次方程mx2-(m-1)x+m=5=0有两个实根α、β，且满足-1＜a＜0和0＜β＜1，则m的取值范围是______ A: 3＜m＜4 B: 4＜m＜5 C: 5＜m＜6 D: m＞d或m＜5 E: m＞5或m＜4
若关于x的二次方程mx2-(m-1)x+m=5=0有两个实根α、β，且满足-1＜a＜0和0＜β＜1，则m的取值范围是______ A: 3＜m＜4 B: 4＜m＜5 C: 5＜m＜6 D: m＞d或m＜5 E: m＞5或m＜4