一台三相变压器，额定电压U1N／U2N=10／3．15kV，额定电流I1N／I2N=57．74／183．3A，求该变压器的额定容量。
一台三相变压器，额定电压U1N／U2N=10／3．15kV，额定电流I1N／I2N=57．74／183．3A，求该变压器的额定容量。
某企业使用S＝100kVA变压器一台（10/0.4kV），低压侧额定电流（）安培。 A: 57.74 B: 144.34 C: 250 D: 288.68
某企业使用S＝100kVA变压器一台（10/0.4kV），低压侧额定电流（）安培。 A: 57.74 B: 144.34 C: 250 D: 288.68
对于小接地电流系统,接成开口三角形的电压互感器辅助二次绕组额定电压为( )。 A: 57.74V B: 100V C: 220V D: 100/3V
对于小接地电流系统,接成开口三角形的电压互感器辅助二次绕组额定电压为( )。 A: 57.74V B: 100V C: 220V D: 100/3V
赛诺菲（北京）制药生产的格列美脲片（亚莫利）（2mg*15片）的分销出库价是（） A: 67.74~68.85 B: 57.74~63.85 C: 52.74~53.85 D: 45.74~46.85
赛诺菲（北京）制药生产的格列美脲片（亚莫利）（2mg*15片）的分销出库价是（） A: 67.74~68.85 B: 57.74~63.85 C: 52.74~53.85 D: 45.74~46.85
图示四种结构，各杆EA相同。在集中力F作用下结构的应变能分别用Vε1、Vε2、Vε3、Vε4表示。 下列结论中正确的是（） A: V〉V〉V〉V； B: V〈V〈V〈V； C: V〉V，V〉V，V〉； D: V〈V，V〈V，V〈。
图示四种结构，各杆EA相同。在集中力F作用下结构的应变能分别用Vε1、Vε2、Vε3、Vε4表示。 下列结论中正确的是（） A: V〉V〉V〉V； B: V〈V〈V〈V； C: V〉V，V〉V，V〉； D: V〈V，V〈V，V〈。
请依据图建立可达矩阵，并用简化方法建立其递阶结构模型。 V V A A A P1 V V A V P2 V V A P3 V V (A) A P4 V (V) V P5 V V A P6 V (V) P7 V P8 P9
请依据图建立可达矩阵，并用简化方法建立其递阶结构模型。 V V A A A P1 V V A V P2 V V A P3 V V (A) A P4 V (V) V P5 V V A P6 V (V) P7 V P8 P9
工作在放大电路中的NPN型晶体管，必须满足（）。 A: V>V>V B: V>V>V C: V>V>V D: V>V>V
工作在放大电路中的NPN型晶体管，必须满足（）。 A: V>V>V B: V>V>V C: V>V>V D: V>V>V
对急性下壁心肌梗死患者应常规加做的导联是（）。 A: aVL、V～V B: V～V、V～V C: V～V、V～V D: V～V E: V～V
对急性下壁心肌梗死患者应常规加做的导联是（）。 A: aVL、V～V B: V～V、V～V C: V～V、V～V D: V～V E: V～V
已知一有向图的邻接表存储结构如下，则根据有向图的深度优先遍历算法，从顶点V1出发，不能得到的顶点序列是（）。 A: V，V，V，V，V B: V，V，V，V，V C: V，V，V，V，V D: V，V，V，V，V
已知一有向图的邻接表存储结构如下，则根据有向图的深度优先遍历算法，从顶点V1出发，不能得到的顶点序列是（）。 A: V，V，V，V，V B: V，V，V，V，V C: V，V，V，V，V D: V，V，V，V，V
白兰地的酒精度为（）。 A: 43%（V/V） B: 40%（V/V） C: 45%（V/V） D: 52%（V/V）
白兰地的酒精度为（）。 A: 43%（V/V） B: 40%（V/V） C: 45%（V/V） D: 52%（V/V）