有四个直齿圆柱齿轮:1)m=5mm,z=20,α=20°2)m=5mm,z=40,α=20°3)m=2mm,z=50,α=20°4)m=5mm,z=20,α=25°。其中,渐开线齿廓形状相同的是() A: 1)和2) B: 1)和3) C: 1)和4) D: 3)和4)
有四个直齿圆柱齿轮:1)m=5mm,z=20,α=20°2)m=5mm,z=40,α=20°3)m=2mm,z=50,α=20°4)m=5mm,z=20,α=25°。其中,渐开线齿廓形状相同的是() A: 1)和2) B: 1)和3) C: 1)和4) D: 3)和4)
The average unit weight of the backfill below the ground and above foundation and its steps is usually taken as( ) A: 10 kN/m^3 B: 15 kN/m^3 C: 20 kN/m^3 D: 25 kN/m^3
The average unit weight of the backfill below the ground and above foundation and its steps is usually taken as( ) A: 10 kN/m^3 B: 15 kN/m^3 C: 20 kN/m^3 D: 25 kN/m^3
地面以下基础及其台阶上回填土的平均重度通常取值为() A: 20 kN/m^3 B: 10 kN/m^3 C: 15 kN/m^3 D: 25 kN/m^3
地面以下基础及其台阶上回填土的平均重度通常取值为() A: 20 kN/m^3 B: 10 kN/m^3 C: 15 kN/m^3 D: 25 kN/m^3
石蜡切片一般常规切片厚度为 A: 1μm以下 B: 2~3μm C: 6~12μm D: 20~30μm
石蜡切片一般常规切片厚度为 A: 1μm以下 B: 2~3μm C: 6~12μm D: 20~30μm
用动态规划策略求解矩阵连乘问题1 2 3 4 M*M*M*M,其中1M(20*5)、2M(5*35)、3M(35*4)和4M(4*25),则最优的计算次序为()。 A: 1 2 3 4 ((M*M)*M)*M B: 1 2 3 4 (M*M)*(M *M ) C: 1 2 3 4 (M*(M *M))*M D: 1 2 3 4 M*(M *(M *M ))
用动态规划策略求解矩阵连乘问题1 2 3 4 M*M*M*M,其中1M(20*5)、2M(5*35)、3M(35*4)和4M(4*25),则最优的计算次序为()。 A: 1 2 3 4 ((M*M)*M)*M B: 1 2 3 4 (M*M)*(M *M ) C: 1 2 3 4 (M*(M *M))*M D: 1 2 3 4 M*(M *(M *M ))
在显微操作过程中,用于固定胚胎或卵母细胞固定针的外径和内径一般为 A: 外径20~30 μm,内径2~3 μm; B: 外径30~50 μm,内径5~10 μm; C: 外径50~70 μm,内径10~20 μm; D: 外径70~120 μm,内径20~30 μm。
在显微操作过程中,用于固定胚胎或卵母细胞固定针的外径和内径一般为 A: 外径20~30 μm,内径2~3 μm; B: 外径30~50 μm,内径5~10 μm; C: 外径50~70 μm,内径10~20 μm; D: 外径70~120 μm,内径20~30 μm。
配箱与开关箱间的距离不应超过m,开关箱与用电设备间的距离不应超过m() A: 30 5 B: 30 3 C: 20 3 D: 20 5
配箱与开关箱间的距离不应超过m,开关箱与用电设备间的距离不应超过m() A: 30 5 B: 30 3 C: 20 3 D: 20 5
现在的集成电路及封装的特征线宽可能为 A: 20μm,20μm B: 20μm,2mm C: 20nm,20μm D: 20nm,200nm
现在的集成电路及封装的特征线宽可能为 A: 20μm,20μm B: 20μm,2mm C: 20nm,20μm D: 20nm,200nm
病毒的大小约为 A: 20~300nm B: 20~30μm C: 20~300mm D: 1~10μm E: 20~300μm
病毒的大小约为 A: 20~300nm B: 20~30μm C: 20~300mm D: 1~10μm E: 20~300μm
如果r=e=10%,c=20%,则m=( )。 A: 2.5 B: 3 C: 3.5 D: 4
如果r=e=10%,c=20%,则m=( )。 A: 2.5 B: 3 C: 3.5 D: 4