屋面女儿墙以下说法正确的是（ ） A: 女儿墙的厚度为250mm B: 女儿墙外边与梁外边平齐 C: 建施图中女儿墙的底标高为10.8，软件建模时女儿墙底标高设置应为10.8 D: 女儿墙生根于梁顶，因此软件建模时女儿墙底标高设置应为梁顶标高10.75 E: 女儿墙顶标高为10.8+0.54 F: 女儿墙顶标高为10.75+0.54
屋面女儿墙以下说法正确的是（ ） A: 女儿墙的厚度为250mm B: 女儿墙外边与梁外边平齐 C: 建施图中女儿墙的底标高为10.8，软件建模时女儿墙底标高设置应为10.8 D: 女儿墙生根于梁顶，因此软件建模时女儿墙底标高设置应为梁顶标高10.75 E: 女儿墙顶标高为10.8+0.54 F: 女儿墙顶标高为10.75+0.54
A、0.34B、0.64C、0.44D、0.54
A、0.34B、0.64C、0.44D、0.54
已知混凝土的砂石比为0.54，则砂率为（）。 A: 0.35 B: 0.3 C: 0.54 D: 1.86
已知混凝土的砂石比为0.54，则砂率为（）。 A: 0.35 B: 0.3 C: 0.54 D: 1.86
A．0.5B．0.54C．0.62D．0.65 A: 0.5 B: 0.54 C: 0.62 D: 0.65
A．0.5B．0.54C．0.62D．0.65 A: 0.5 B: 0.54 C: 0.62 D: 0.65
For an n-channel depletion MOSFET IDSS = 8 mA and VP = -6 V. If ID = 0.0095 A, what is the value of the gate-to-source voltage, VGS? A: 0.54 V B: -0.54 V C: 0.1335 V D: 6.54 V
For an n-channel depletion MOSFET IDSS = 8 mA and VP = -6 V. If ID = 0.0095 A, what is the value of the gate-to-source voltage, VGS? A: 0.54 V B: -0.54 V C: 0.1335 V D: 6.54 V
已知混凝土的砂石比为0.54，则砂率为()
已知混凝土的砂石比为0.54，则砂率为()
千分之五百零四写成小数是（） A: 0.54 B: 0.504 C: 0
千分之五百零四写成小数是（） A: 0.54 B: 0.504 C: 0
千分之五百零四写成小数是（）。 A: 0.54 B: 0.504 C: 0.054
千分之五百零四写成小数是（）。 A: 0.54 B: 0.504 C: 0.054
0.65乘以6.4减6.5乘以0.54加65乘以9％
0.65乘以6.4减6.5乘以0.54加65乘以9％
乳中掺水1％，冰点约上升（） A: 0.054℃ B: 0.0054℃ C: 0.54℃
乳中掺水1％，冰点约上升（） A: 0.054℃ B: 0.0054℃ C: 0.54℃