以下哪种情况可以不设置加宽（ ） A: 圆曲线半径R>200 B: 圆曲线半径R>250 C: 圆曲线半径R<200 D: 圆曲线半径R<250
以下哪种情况可以不设置加宽（ ） A: 圆曲线半径R>200 B: 圆曲线半径R>250 C: 圆曲线半径R<200 D: 圆曲线半径R<250
发动机开始磨合时以一定转速冷磨合,然后再次基础上逐步增加,每级以().递增。 A: 50~200 r/min B: 100~200 r/min C: 200~300r/min D: 100-300 r/min
发动机开始磨合时以一定转速冷磨合,然后再次基础上逐步增加,每级以().递增。 A: 50~200 r/min B: 100~200 r/min C: 200~300r/min D: 100-300 r/min
用万用电表检测发光二极管时，必须使用（）档。 A: R×10k B: R×200 C: R×100k D: R×10M
用万用电表检测发光二极管时，必须使用（）档。 A: R×10k B: R×200 C: R×100k D: R×10M
假设寄存器R中的数值为200，主存地址为200和300的地址单元中存放的内容分别是300和400，则______访问到的操作数为200。 Ⅰ．直接寻址200 Ⅱ．寄存器间接寻址(R) Ⅲ．存储器间接寻址(200) Ⅳ．寄存器寻址R A: Ⅰ、Ⅳ B: Ⅱ、Ⅲ C: Ⅲ、Ⅳ D: 只有Ⅳ
假设寄存器R中的数值为200，主存地址为200和300的地址单元中存放的内容分别是300和400，则______访问到的操作数为200。 Ⅰ．直接寻址200 Ⅱ．寄存器间接寻址(R) Ⅲ．存储器间接寻址(200) Ⅳ．寄存器寻址R A: Ⅰ、Ⅳ B: Ⅱ、Ⅲ C: Ⅲ、Ⅳ D: 只有Ⅳ
若关系R有10个元组,关系S有20个元组,则R与S的自然连接有()个。 A: 30 B: 200 C: 小于等于200 D: 大于200
若关系R有10个元组,关系S有20个元组,则R与S的自然连接有()个。 A: 30 B: 200 C: 小于等于200 D: 大于200
下面哪种颜色饱和度最高 A: R：50G：150B：100 B: R：100G：120B：120 C: R：50G：50B：200
下面哪种颜色饱和度最高 A: R：50G：150B：100 B: R：100G：120B：120 C: R：50G：50B：200
假设寄存器R中的数值为200，主存地址为200和300单元中存放的数据分别是300和400，则（）方式下访问到的操作数为200. A: 直接寻址200 B: 寄存器间接寻址（R） C: 间接寻址（200） D: 寄存器寻址R
假设寄存器R中的数值为200，主存地址为200和300单元中存放的数据分别是300和400，则（）方式下访问到的操作数为200. A: 直接寻址200 B: 寄存器间接寻址（R） C: 间接寻址（200） D: 寄存器寻址R
KRB—200/31.5乳化液泵。W代表（），R代表（），B代表（），200代表（），31.5代表（）
KRB—200/31.5乳化液泵。W代表（），R代表（），B代表（），200代表（），31.5代表（）
用“×10”档欧姆表测量一个电阻R的阻值，若指针在表盘上100欧与200欧的正中间，则____。 A: R=150欧姆 B: R=1500欧姆 C: 100欧姆<R<150欧姆 D: 150欧姆<R<200欧姆
用“×10”档欧姆表测量一个电阻R的阻值，若指针在表盘上100欧与200欧的正中间，则____。 A: R=150欧姆 B: R=1500欧姆 C: 100欧姆<R<150欧姆 D: 150欧姆<R<200欧姆
假设寄存器中的数值位200,主存地址为200和300的地址单元中存放的内容分别是300和400,则()。 A: 直接寻址200 B: 寄存器间接寻址(R) C: 存储器间接寻址(200) D: 寄存器寻址R
假设寄存器中的数值位200,主存地址为200和300的地址单元中存放的内容分别是300和400,则()。 A: 直接寻址200 B: 寄存器间接寻址(R) C: 存储器间接寻址(200) D: 寄存器寻址R