多晶硅和单晶硅的区别（）。 A: 多晶花纹状，单晶白色 B: 多晶花纹状，单晶没有 C: 多晶彩色，单晶白色 D: 多晶黑色，单晶白色
多晶硅和单晶硅的区别（）。 A: 多晶花纹状，单晶白色 B: 多晶花纹状，单晶没有 C: 多晶彩色，单晶白色 D: 多晶黑色，单晶白色
硅基半导体材料包含非晶硅、微晶硅、多晶硅和单晶硅，载流子迁移率最大的是（ ）？ A: 非晶硅 B: 微晶硅 C: 多晶硅 D: 单晶硅
硅基半导体材料包含非晶硅、微晶硅、多晶硅和单晶硅，载流子迁移率最大的是（ ）？ A: 非晶硅 B: 微晶硅 C: 多晶硅 D: 单晶硅
含硅量≥99.9999999%的多晶硅废
含硅量≥99.9999999%的多晶硅废
其他含硅量≥99.9999999%的多晶
其他含硅量≥99.9999999%的多晶
半导体硅工业产品不包括（）①多晶硅②单晶硅③外延片④非晶硅 A: ①②④ B: ①②③④ C: ②③④ D: ③④
半导体硅工业产品不包括（）①多晶硅②单晶硅③外延片④非晶硅 A: ①②④ B: ①②③④ C: ②③④ D: ③④
按照硅材料的晶体结构可将硅太阳能电池分为______太阳能电池。 A: 单晶硅 B: 双晶硅 C: 多晶硅 D: 非晶硅
按照硅材料的晶体结构可将硅太阳能电池分为______太阳能电池。 A: 单晶硅 B: 双晶硅 C: 多晶硅 D: 非晶硅
下列组合中哪一种基本上用于刻蚀前者的干刻蚀法大都可以用来刻蚀后者（）。 A: 二氧化硅氮化硅 B: 多晶硅硅化金属 C: 单晶硅多晶硅 D: 铝铜 E: 铝硅
下列组合中哪一种基本上用于刻蚀前者的干刻蚀法大都可以用来刻蚀后者（）。 A: 二氧化硅氮化硅 B: 多晶硅硅化金属 C: 单晶硅多晶硅 D: 铝铜 E: 铝硅
所谓多晶硅薄膜的间接制备法，就是先制备得到（ ）薄膜，再通过不同的晶化技术，将其晶化为多晶硅薄膜。 A: 非晶硅 B: 单晶硅 C: 微晶硅 D: 多晶硅
所谓多晶硅薄膜的间接制备法，就是先制备得到（ ）薄膜，再通过不同的晶化技术，将其晶化为多晶硅薄膜。 A: 非晶硅 B: 单晶硅 C: 微晶硅 D: 多晶硅
硅光电池的材料有（）等。 A: 单晶硅 B: 多晶硅 C: 非晶硅 D: 二氧化硅
硅光电池的材料有（）等。 A: 单晶硅 B: 多晶硅 C: 非晶硅 D: 二氧化硅
硅光电池的材料有（）等。 A: 单晶硅 B: 多晶硅 C: 非晶硅 D: 二氧化硅
硅光电池的材料有（）等。 A: 单晶硅 B: 多晶硅 C: 非晶硅 D: 二氧化硅