36=1×36=2×（）=（）×（）=（）×（）=（）×（）36的全部因数是:
36=1×36=2×（）=（）×（）=（）×（）=（）×（）36的全部因数是:
有一个三相双层叠绕组，2p=4, Z=36, 支路数a=1，那么每极每相槽数q=
有一个三相双层叠绕组，2p=4, Z=36, 支路数a=1，那么每极每相槽数q=
某三相双层叠绕组，2p=4, Q=36, 支路数a=1，y1=8，则该绕组的绕组因数为（）。
某三相双层叠绕组，2p=4, Q=36, 支路数a=1，y1=8，则该绕组的绕组因数为（）。
乳酸菌总数培养条件为（）。 A: 需氧36℃±1℃，48h±2h B: 需氧36℃±1℃，24h±2h C: 厌氧36℃±1℃，72h±2h D: 厌氧36℃±1℃，24h±2h
乳酸菌总数培养条件为（）。 A: 需氧36℃±1℃，48h±2h B: 需氧36℃±1℃，24h±2h C: 厌氧36℃±1℃，72h±2h D: 厌氧36℃±1℃，24h±2h
由与非门构成的基本RS触发器当R’=1,S’=0时,触发器状态为( ) 。 A: Q=1,Q’=0 B: Q=0,Q’=1 C: Q=1,Q’=1 D: Q=0,Q’=0
由与非门构成的基本RS触发器当R’=1,S’=0时,触发器状态为( ) 。 A: Q=1,Q’=0 B: Q=0,Q’=1 C: Q=1,Q’=1 D: Q=0,Q’=0
常数n≠0，则几何级数收敛条件是( ) A: q＜1 B: -1＜q＜1 C: q≤1 D: q＞1
常数n≠0，则几何级数收敛条件是( ) A: q＜1 B: -1＜q＜1 C: q≤1 D: q＞1
如图所示,一个点电荷q位于立方体一顶点A上,则通过abcd面上的电通量为() A: q/6ε; B: q/12ε; C: q/24ε; D: q/36ε;
如图所示,一个点电荷q位于立方体一顶点A上,则通过abcd面上的电通量为() A: q/6ε; B: q/12ε; C: q/24ε; D: q/36ε;
或非门构成的基本RS触发器的输入S=1，R=1时，其输出状态为（）。 A: Q=0，Q’=1 B: Q=1，Q’=0 C: Q=1，Q’=1 D: Q=0，Q’=0
或非门构成的基本RS触发器的输入S=1，R=1时，其输出状态为（）。 A: Q=0，Q’=1 B: Q=1，Q’=0 C: Q=1，Q’=1 D: Q=0，Q’=0
对于基本RS触发器来说，RS＝01时，则（ ）。 A: Q＝0，非Q＝1 B: Q＝0，非Q＝0 C: Q＝1，非Q＝1 D: Q＝1，非Q＝0
对于基本RS触发器来说，RS＝01时，则（ ）。 A: Q＝0，非Q＝1 B: Q＝0，非Q＝0 C: Q＝1，非Q＝1 D: Q＝1，非Q＝0
切比雪夫距离、曼哈顿距离与欧式距离分别对应闵可夫斯基距离中q为几的情形 A: q=1,q=2,q=∞ B: q=2,q=1,q=∞ C: q=∞,q=1,q=2 D: q=∞,q=2,q=1
切比雪夫距离、曼哈顿距离与欧式距离分别对应闵可夫斯基距离中q为几的情形 A: q=1,q=2,q=∞ B: q=2,q=1,q=∞ C: q=∞,q=1,q=2 D: q=∞,q=2,q=1