在卡方检验中，不需要进行连续性矫正的条件是自由度 A: df＞1 B: df＞5 C: df≥30 D: df≥20
在卡方检验中，不需要进行连续性矫正的条件是自由度 A: df＞1 B: df＞5 C: df≥30 D: df≥20
希望串操作指令自动将地址指针减量，则事先应把（ ）标志位设置为（ ）。 A: DF，1 B: DF，0 C: TF，１ D: TF，0
希望串操作指令自动将地址指针减量，则事先应把（ ）标志位设置为（ ）。 A: DF，1 B: DF，0 C: TF，１ D: TF，0
80X86的标志寄存器中，哪个标志位为0 时，不允许产生外部中断（ ）。 A: DF=0 B: IF=0 C: IF=1 D: OF=1
80X86的标志寄存器中，哪个标志位为0 时，不允许产生外部中断（ ）。 A: DF=0 B: IF=0 C: IF=1 D: OF=1
在一线圈回路中，规定满足如图所示的旋转方向时，电动势ε, 磁通量Φ为正值。若磁铁沿箭头方向进入线圈，则[img=313x153]17e0b2328c60d7d.png[/img] A: dF /dt<; 0, e <;0 B: dF/dt>; 0,e<;0 C: dF /dt>;0,e>;0 D: dF /dt<; 0, e>; 0
在一线圈回路中，规定满足如图所示的旋转方向时，电动势ε, 磁通量Φ为正值。若磁铁沿箭头方向进入线圈，则[img=313x153]17e0b2328c60d7d.png[/img] A: dF /dt<; 0, e <;0 B: dF/dt>; 0,e<;0 C: dF /dt>;0,e>;0 D: dF /dt<; 0, e>; 0
如果(AX)=1001H，(DX)=20FFH，执行指令ADD AX, DX 后，标志寄存器中 A: OF=1 B: AF=1 C: SF=0 D: ZF=0 E: DF=1
如果(AX)=1001H，(DX)=20FFH，执行指令ADD AX, DX 后，标志寄存器中 A: OF=1 B: AF=1 C: SF=0 D: ZF=0 E: DF=1
微分方程[img=146x29]18031ada1a30df0.png[/img]是4阶微分方程
微分方程[img=146x29]18031ada1a30df0.png[/img]是4阶微分方程
如图所示单元体的三个主应力为 A: σ1=30，σ2=0,σ3=-50 B: σ1=50，σ2=30,σ3=-50 C: σ1=50，σ2=0,σ3=-50 D: σ1=50，σ2=30,σ3=0
如图所示单元体的三个主应力为 A: σ1=30，σ2=0,σ3=-50 B: σ1=50，σ2=30,σ3=-50 C: σ1=50，σ2=0,σ3=-50 D: σ1=50，σ2=30,σ3=0
设为k个样本的资料，其方差同质性测验的自由度df为( ) A: df=k－2 B: df=k－１ C: df=1 D: df=k－m
设为k个样本的资料，其方差同质性测验的自由度df为( ) A: df=k－2 B: df=k－１ C: df=1 D: df=k－m
设为k个样本的资料,其方差同质性检验的自由度df为(<br/>)。 A: df=k-2 B: df=k-1 C: df=1 D: df=k-m
设为k个样本的资料,其方差同质性检验的自由度df为(<br/>)。 A: df=k-2 B: df=k-1 C: df=1 D: df=k-m
如图所示单元体的三个主应力为[img=199x211]17869506173a409.jpg[/img] A: σ1=30，σ2=0, σ3=-50 B: σ1=50，σ2=30, σ3=-50 C: σ1=50，σ2=0, σ3=-50 D: σ1=50，σ2=30, σ3=0
如图所示单元体的三个主应力为[img=199x211]17869506173a409.jpg[/img] A: σ1=30，σ2=0, σ3=-50 B: σ1=50，σ2=30, σ3=-50 C: σ1=50，σ2=0, σ3=-50 D: σ1=50，σ2=30, σ3=0