百分位数P x与中位数M的关系为(1.0) A: P x =M B: P 95=M C: P 5=M D: P 50=M E: P 50不一定等于M
百分位数P x与中位数M的关系为(1.0) A: P x =M B: P 95=M C: P 5=M D: P 50=M E: P 50不一定等于M
【单选题】快速响应洒水喷头的响应时间指数为()。 A. RTI≤50(m·s) B. 50 ＜RTI≤80(m·s) C. 80 ＜RTI≤350(m·s) D. RTI > 350(m·s)
【单选题】快速响应洒水喷头的响应时间指数为()。 A. RTI≤50(m·s) B. 50 ＜RTI≤80(m·s) C. 80 ＜RTI≤350(m·s) D. RTI > 350(m·s)
某直线光栅每毫米刻线数为50,采用4细分技术,则光栅的分辨力为()。 A: 5μm B: 50μm C: 4μm D: 20μm
某直线光栅每毫米刻线数为50,采用4细分技术,则光栅的分辨力为()。 A: 5μm B: 50μm C: 4μm D: 20μm
固定7``脉冲发生器的力矩是（）。 A: 80/160N•m B: 100/200N•m C: 40/80N•m D: 50/100N•m
固定7``脉冲发生器的力矩是（）。 A: 80/160N•m B: 100/200N•m C: 40/80N•m D: 50/100N•m
用于光镜观察的石蜡切片厚度一般是（ ）。 A: 50～80μm B: 50～80nm C: 5～10nm D: 5～10μm E: 1～2μm
用于光镜观察的石蜡切片厚度一般是（ ）。 A: 50～80μm B: 50～80nm C: 5～10nm D: 5～10μm E: 1～2μm
纳米囊、纳米球的直径范围为() A: 10～50μm B: 10～100μm C: 30～50μm D: 50～100μm
纳米囊、纳米球的直径范围为() A: 10～50μm B: 10～100μm C: 30～50μm D: 50～100μm
气雾剂喷出的药物雾滴一般应为（） A: ＞50μm B: ＜100μm C: ＜75μm D: ＜50μm E: ＞75μm
气雾剂喷出的药物雾滴一般应为（） A: ＞50μm B: ＜100μm C: ＜75μm D: ＜50μm E: ＞75μm
超精密切削加工中的切削加工误差为() A: 0.1µm～1µm B: 1µm～10µm C: 10µm～50µm D: 50µm～100µm
超精密切削加工中的切削加工误差为() A: 0.1µm～1µm B: 1µm～10µm C: 10µm～50µm D: 50µm～100µm
一般地震电缆线的长度为（）。 A: 道容量×50×100％m B: 道容量×50×110％m C: 道容量×50×120％m D: 道容量×50×130％m
一般地震电缆线的长度为（）。 A: 道容量×50×100％m B: 道容量×50×110％m C: 道容量×50×120％m D: 道容量×50×130％m
沉降性颗粒物的粒径一般为() A: 5μm~10μm B: >10μm~50μm C: >50μm ~75μm D: >75μm~100μm E: >100μm
沉降性颗粒物的粒径一般为() A: 5μm~10μm B: >10μm~50μm C: >50μm ~75μm D: >75μm~100μm E: >100μm