将正弦电压u = 10 sin( 314 t +30 ) V 施加于感抗XL = 5 的电感元件上,<br/>则通过该元件的电流 i = ( ) 。 A: 50 sin( 314 t +90 ) B: 2 sin( 314 t +60 ) C: 2 sin( 314 t -60 ) D: 2 sin( 314 t -30 )
将正弦电压u = 10 sin( 314 t +30 ) V 施加于感抗XL = 5 的电感元件上,<br/>则通过该元件的电流 i = ( ) 。 A: 50 sin( 314 t +90 ) B: 2 sin( 314 t +60 ) C: 2 sin( 314 t -60 ) D: 2 sin( 314 t -30 )
【单选题】筛下累积分布U(Dp)和筛上累积分布R(Dp)的关系为 。 A. U(Dp) ＞ R(Dp) B. U(Dp)=R(Dp) C. U(Dp) ＜ R(Dp) D. U(Dp)+R(Dp)=1
【单选题】筛下累积分布U(Dp)和筛上累积分布R(Dp)的关系为 。 A. U(Dp) ＞ R(Dp) B. U(Dp)=R(Dp) C. U(Dp) ＜ R(Dp) D. U(Dp)+R(Dp)=1
欧拉平衡微分方程为 A: dp=-ρ（Xdx+Ydy+Zdz） B: dp=ρ（Xdx+Ydy+Zdz） C: dp=-g（Xdx+Ydy+Zdz） D: dp=g（Xdx+Ydy+Zdz）
欧拉平衡微分方程为 A: dp=-ρ（Xdx+Ydy+Zdz） B: dp=ρ（Xdx+Ydy+Zdz） C: dp=-g（Xdx+Ydy+Zdz） D: dp=g（Xdx+Ydy+Zdz）
What is the current market value of each convertible loan note (to 2 dp)?$
What is the current market value of each convertible loan note (to 2 dp)?$
高速非达西渗流方程是：dp/dL=-(μ/k)v+ρβv^2
高速非达西渗流方程是：dp/dL=-(μ/k)v+ρβv^2
重力作用下液体平衡基本方程为___。 A: dp=-ρdz； B: dp=-ρgdz； C: dp=-gdz； D: dp=ρgdz。
重力作用下液体平衡基本方程为___。 A: dp=-ρdz； B: dp=-ρgdz； C: dp=-gdz； D: dp=ρgdz。
目前DP接口有两种不同的规格，分别为标准DP和mini DP。
目前DP接口有两种不同的规格，分别为标准DP和mini DP。
已知某电路两端的电压u = 6 sin(314 t + 30°)V，流过的电流i = 2 sin(314 t - 30°)A，则该电路的性质是（ ）。 A: 电阻性 B: 电感性 C: 电容性 D: 电源性
已知某电路两端的电压u = 6 sin(314 t + 30°)V，流过的电流i = 2 sin(314 t - 30°)A，则该电路的性质是（ ）。 A: 电阻性 B: 电感性 C: 电容性 D: 电源性
下面满足非平衡载流子小注入条件的是()。 A: ．对于N型半导体，Dn=Dp<<n0，Dn=Dp>>p0 B: ．对于P型半导体，Dn=Dp<<n0，Dn=Dp<<p0 C: ．对于P型半导体，Dn=Dp>>n0，Dn=Dp>>p0 D: ．都不是
下面满足非平衡载流子小注入条件的是()。 A: ．对于N型半导体，Dn=Dp<<n0，Dn=Dp>>p0 B: ．对于P型半导体，Dn=Dp<<n0，Dn=Dp<<p0 C: ．对于P型半导体，Dn=Dp>>n0，Dn=Dp>>p0 D: ．都不是
一个正弦交流电的角频率ω=314弧度/秒，那么它的周期T=( )秒？ A: 50 B: 0.02 C: 314 D: 100
一个正弦交流电的角频率ω=314弧度/秒，那么它的周期T=( )秒？ A: 50 B: 0.02 C: 314 D: 100