设|A|=2，且A为4阶矩阵，则|-2A|=（ ） A: 4 B: -4 C: 32 D: -32
设|A|=2，且A为4阶矩阵，则|-2A|=（ ） A: 4 B: -4 C: 32 D: -32
【单选题】电桥平衡条件是: A. R 1 R 3 = R 2 R 4 B. R 1 R 4 = R 2 R 3 C. R 1 R 2 = R 3 R 4 D. R 1> R 4 , R 2> R 3
【单选题】电桥平衡条件是: A. R 1 R 3 = R 2 R 4 B. R 1 R 4 = R 2 R 3 C. R 1 R 2 = R 3 R 4 D. R 1> R 4 , R 2> R 3
设是4阶方阵,且,则() A: 16 B: -4 C: -32 D: 32
设是4阶方阵,且,则() A: 16 B: -4 C: -32 D: 32
球形液膜的内外压强差及球形液面的附加压强分别为 A: 2α/R、2α/R B: 2α/R、4α/R C: 4α/R、2α/R D: 4α/R、4α/R
球形液膜的内外压强差及球形液面的附加压强分别为 A: 2α/R、2α/R B: 2α/R、4α/R C: 4α/R、2α/R D: 4α/R、4α/R
《国家学生体质健康标准》中耐力跑，大一大二男生/女生60分及格线数值是____分·秒？ A: 4'30”/4'32” B: 4'31”/4'33” C: 4'32”/4'34” D: 4'33”/4'35”
《国家学生体质健康标准》中耐力跑，大一大二男生/女生60分及格线数值是____分·秒？ A: 4'30”/4'32” B: 4'31”/4'33” C: 4'32”/4'34” D: 4'33”/4'35”
设A是4阶方阵,且|A|=2,则|-2A|=( ) A: 16 B: -4 C: -32 D: 32
设A是4阶方阵,且|A|=2,则|-2A|=( ) A: 16 B: -4 C: -32 D: 32
表达式 32 / 4 - 2 ^ 4 * 16 / 4 Mod 7 3 的值为
表达式 32 / 4 - 2 ^ 4 * 16 / 4 Mod 7 3 的值为
半径为$R$, 密度为$1$的均匀平面薄板关于其切线的转动惯量为 A: $\frac{3\pi R^4}{4}$ B: $\frac{5\pi R^4}{4}$ C: $\frac{5\pi R^3}{4}$ D: $\frac{4\pi R^3}{3}$
半径为$R$, 密度为$1$的均匀平面薄板关于其切线的转动惯量为 A: $\frac{3\pi R^4}{4}$ B: $\frac{5\pi R^4}{4}$ C: $\frac{5\pi R^3}{4}$ D: $\frac{4\pi R^3}{3}$
IA-32中指令“popl %ebp”的功能是（ ）。? R[ebp]←M[R[esp]]，R[esp]←R[esp]+4|R[esp]←R[esp]-4，R[ebp]←M[R[esp]]|;R[ebp]←M[R[esp]]，R[esp]←R[esp]-4|R[esp]←R[esp]+4，R[ebp]←M[R[esp]]
IA-32中指令“popl %ebp”的功能是（ ）。? R[ebp]←M[R[esp]]，R[esp]←R[esp]+4|R[esp]←R[esp]-4，R[ebp]←M[R[esp]]|;R[ebp]←M[R[esp]]，R[esp]←R[esp]-4|R[esp]←R[esp]+4，R[ebp]←M[R[esp]]
设AB为4阶矩阵，R(A)=4,R(A)=3,则R(AB)=( ) A: 12 B: 7 C: 3 D: 4
设AB为4阶矩阵，R(A)=4,R(A)=3,则R(AB)=( ) A: 12 B: 7 C: 3 D: 4