在点电荷+q的电场中，无穷远处为电势零点，则r处的电势为 A: q/4πrε0 B: 0 C: -q/4πrε0 D: q/4π
在点电荷+q的电场中，无穷远处为电势零点，则r处的电势为 A: q/4πrε0 B: 0 C: -q/4πrε0 D: q/4π
点电荷q外任意闭合曲面的电场强度通量为<br/>( <br/>) A: q/ε0 B: 0 C: ε0/q D: q/4πε0
点电荷q外任意闭合曲面的电场强度通量为<br/>( <br/>) A: q/ε0 B: 0 C: ε0/q D: q/4πε0
若有定义语句：int a[4][10],*p,*q[4];且0≤i<4，则错误的赋值是( )
若有定义语句：int a[4][10],*p,*q[4];且0≤i<4，则错误的赋值是( )
一个点电荷q放在立方体中心，则穿过某一表面的电通量为__。 A: 0 B: q/ε0 C: q/6ε0 D: q/4ε0
一个点电荷q放在立方体中心，则穿过某一表面的电通量为__。 A: 0 B: q/ε0 C: q/6ε0 D: q/4ε0
中国大学MOOC: 下面程序段执行后的输出结果是（ ）。int a[]={2,4,6,8,10,12,14,16,18,20,22,24},*q[4],k;for (k=0; k<4; k++) q[k]=&a[k*3];printf("%d",q[3][0]);
中国大学MOOC: 下面程序段执行后的输出结果是（ ）。int a[]={2,4,6,8,10,12,14,16,18,20,22,24},*q[4],k;for (k=0; k<4; k++) q[k]=&a[k*3];printf("%d",q[3][0]);
如图5所示，半径为R的均匀带电球面，总电量为Q，设无穷远处的电势为零，则球内距离球心为r的P点处的电场强度的大小和电势为______。[img=176x159]180331c0c509049.png[/img] A: E = 0 ,U = Q/(4πεR) B: E = 0 ,U = Q/(4πεr) C: E = Q/(4πε2) ,U = Q/(4πεr) D: E = 0 ,U = 0
如图5所示，半径为R的均匀带电球面，总电量为Q，设无穷远处的电势为零，则球内距离球心为r的P点处的电场强度的大小和电势为______。[img=176x159]180331c0c509049.png[/img] A: E = 0 ,U = Q/(4πεR) B: E = 0 ,U = Q/(4πεr) C: E = Q/(4πε2) ,U = Q/(4πεr) D: E = 0 ,U = 0
正电荷q均匀分布在半径为R的圆环上,则圆环中心的电场强度 A: q/(4πεR²) B: 0 C: -q/(4πεR²) D: q/(2εR²)
正电荷q均匀分布在半径为R的圆环上,则圆环中心的电场强度 A: q/(4πεR²) B: 0 C: -q/(4πεR²) D: q/(2εR²)
已知①∈R;②∈Q;③0={0};④0∉N;⑤π∈Q;⑥-3∈Z.其中正确的个数为________个. A: 3 B: 4 C: 5 D: 0
已知①∈R;②∈Q;③0={0};④0∉N;⑤π∈Q;⑥-3∈Z.其中正确的个数为________个. A: 3 B: 4 C: 5 D: 0
真空中，一点电荷位于一立方体中心，通过立方体每个表面的电通量为：（ ） A: q/16ε0 B: q/8ε0 C: q/4ε0 D: q/6ε0
真空中，一点电荷位于一立方体中心，通过立方体每个表面的电通量为：（ ） A: q/16ε0 B: q/8ε0 C: q/4ε0 D: q/6ε0
真空中，一点电荷位于一立方体中心，通过立方体每个表面的电通量为 A: q/16ε0 B: q/8ε0 C: q/4ε0 D: q/6ε0
真空中，一点电荷位于一立方体中心，通过立方体每个表面的电通量为 A: q/16ε0 B: q/8ε0 C: q/4ε0 D: q/6ε0