能够产生语言[img=527x63]1803448d4175907.png[/img]的文法是 A: 文法G(S): S → AC A → aAb | ab C → cC | c B: 文法G(S): S → AC A → aAb | ab C → cC | ε C: 文法G(S): S → AC | A A → aAb | ab C → cC | c D: 文法G(S): S → AC A → aAb | ε C → cC | ε
能够产生语言[img=527x63]1803448d4175907.png[/img]的文法是 A: 文法G(S): S → AC A → aAb | ab C → cC | c B: 文法G(S): S → AC A → aAb | ab C → cC | ε C: 文法G(S): S → AC | A A → aAb | ab C → cC | c D: 文法G(S): S → AC A → aAb | ε C → cC | ε
To a common-collector(CC) amplifier, its collector is at ac ground
To a common-collector(CC) amplifier, its collector is at ac ground
属性集U为ABCD,FD集为{A→C,C→A,B→AC,D→AC},则(AB)+为____。
属性集U为ABCD,FD集为{A→C,C→A,B→AC,D→AC},则(AB)+为____。
电容器的电容可用下列公式表示（）。 A: AC=q/（2πfUC. B: BC=q/Uc C: CC=qUc/（2πF. D: DD.C=1/（2πfqU
电容器的电容可用下列公式表示（）。 A: AC=q/（2πfUC. B: BC=q/Uc C: CC=qUc/（2πF. D: DD.C=1/（2πfqU
Ⅰ．Cu；Ⅱ．Sc；Ⅲ．Ac；Ⅳ．Fn；Ⅴ．Cs；Ⅵ．Cc。 A: Ⅰ～Ⅵ B: Ⅰ，Ⅱ，Ⅳ C: Ⅱ～Ⅳ，Ⅵ D: Ⅱ，Ⅳ～Ⅵ
Ⅰ．Cu；Ⅱ．Sc；Ⅲ．Ac；Ⅳ．Fn；Ⅴ．Cs；Ⅵ．Cc。 A: Ⅰ～Ⅵ B: Ⅰ，Ⅱ，Ⅳ C: Ⅱ～Ⅳ，Ⅵ D: Ⅱ，Ⅳ～Ⅵ
下列属于低云的有：Ⅰ．Cu；Ⅱ．Sc；Ⅲ．Ac；Ⅳ．Fn；Ⅴ．Cs；Ⅵ．Cc。
下列属于低云的有：Ⅰ．Cu；Ⅱ．Sc；Ⅲ．Ac；Ⅳ．Fn；Ⅴ．Cs；Ⅵ．Cc。
直流电的文字符号为（ ）。 A: AC B: VC C: DC D: CC
直流电的文字符号为（ ）。 A: AC B: VC C: DC D: CC
下列哪一项是级配良好的土？ A: Cu=2且Cc=8 B: Cu=8或Cc=2 C: Cu=8且Cc=2 D: Cu=2或Cc=2
下列哪一项是级配良好的土？ A: Cu=2且Cc=8 B: Cu=8或Cc=2 C: Cu=8且Cc=2 D: Cu=2或Cc=2
图示多跨梁由AC和CD铰接而成，自重不计。已知：q=10kN/m，M=40kN·m，F=2kN作用在AB中点，且θ=45°，L=2m。则支座D的约束力为（） A: FD=10kN（↑） B: FD=15kN（↑） C: FD=40.7kN（↑） D: FD=14.3kN（↓）
图示多跨梁由AC和CD铰接而成，自重不计。已知：q=10kN/m，M=40kN·m，F=2kN作用在AB中点，且θ=45°，L=2m。则支座D的约束力为（） A: FD=10kN（↑） B: FD=15kN（↑） C: FD=40.7kN（↑） D: FD=14.3kN（↓）
如图9所示,AB⊥BD于点B,AC⊥CD于点C,且AC与BD交于点E.(1)△ADE的边DE上的高为,边AE上的高为;(2)若AE=5,DE=2,CD=9/5,则AB=.图9
如图9所示,AB⊥BD于点B,AC⊥CD于点C,且AC与BD交于点E.(1)△ADE的边DE上的高为,边AE上的高为;(2)若AE=5,DE=2,CD=9/5,则AB=.图9