发动机的主要参数显示在上ECAM的是：（）。 A: EP B: EG C: N1、F D: N3 E: EP F: EG G: N1、N2、FF H: EP I: EG J: N1、VIBN1、VIBN2 K: EP L: EG M: N1、N2、N3
发动机的主要参数显示在上ECAM的是：（）。 A: EP B: EG C: N1、F D: N3 E: EP F: EG G: N1、N2、FF H: EP I: EG J: N1、VIBN1、VIBN2 K: EP L: EG M: N1、N2、N3
选择i和k使得1274i56k9是偶排列 A: i=8，k=3 B: i=3，k=8 C: i=k=3 D: i=k=8
选择i和k使得1274i56k9是偶排列 A: i=8，k=3 B: i=3，k=8 C: i=k=3 D: i=k=8
下面程序的输出结果为_____。 void main( ) { int a[8] , k, s=0; for( k=0; k<8; k++ ) a[k] = k; for( k=0; k<8/2; k++ ) a[k] = a[8-1-k] ; for( k=0; k<8/2; k++ ) s = s+a[k]; printf("%d",s); }
下面程序的输出结果为_____。 void main( ) { int a[8] , k, s=0; for( k=0; k<8; k++ ) a[k] = k; for( k=0; k<8/2; k++ ) a[k] = a[8-1-k] ; for( k=0; k<8/2; k++ ) s = s+a[k]; printf("%d",s); }
若半导体材料的禁带宽度为Eg，要产生光电效应，必须符合（） A: hfB.hf>Eg B: hf=Eg
若半导体材料的禁带宽度为Eg，要产生光电效应，必须符合（） A: hfB.hf>Eg B: hf=Eg
在1 9构成的排列1 2 7 4 j 5 6 k 9为偶排列 则下列选项中关j k表达正确的是 A．j 3 k 8 B j 8或3 k 3 C j 8 k 3 D j 8 k 3或8
在1 9构成的排列1 2 7 4 j 5 6 k 9为偶排列 则下列选项中关j k表达正确的是 A．j 3 k 8 B j 8或3 k 3 C j 8 k 3 D j 8 k 3或8
中国大学MOOC: 下列程序执行后，输出的结果为 。K=0DO J=1,8 K=JENDDOPRINT*, K,JEND[A] 8, 9 [B] 8, 8 [C] 9, 9 [D] 9, 8
中国大学MOOC: 下列程序执行后，输出的结果为 。K=0DO J=1,8 K=JENDDOPRINT*, K,JEND[A] 8, 9 [B] 8, 8 [C] 9, 9 [D] 9, 8
证明当k¢-8及k$8时,y____50;
证明当k¢-8及k$8时,y____50;
下列程序段的输出结果是（）int k=12;for(k=12;k>;8;k--)if(k%2==0)printf(“%d”,k); A: 1210 B: 12 C: 8 D: 无限循环
下列程序段的输出结果是（）int k=12;for(k=12;k>;8;k--)if(k%2==0)printf(“%d”,k); A: 1210 B: 12 C: 8 D: 无限循环
75.在八面体配合物中 ,可能发生大畸变的电子结构为 A: (t2g)5(eg)2 B: (t2g)4(eg)2 C: (t2g)6(eg)3 D: (t2g)4(eg)0
75.在八面体配合物中 ,可能发生大畸变的电子结构为 A: (t2g)5(eg)2 B: (t2g)4(eg)2 C: (t2g)6(eg)3 D: (t2g)4(eg)0
下列八面体络合物的电子结构中哪个将发生较大的畸变？ ( ) A: (t2g)5(eg)2 B: (t2g )3(eg )2 C: (t2g )4(eg )2 D: (t2g )6(eg )3
下列八面体络合物的电子结构中哪个将发生较大的畸变？ ( ) A: (t2g)5(eg)2 B: (t2g )3(eg )2 C: (t2g )4(eg )2 D: (t2g )6(eg )3