【单选题】筛下累积分布U(Dp)和筛上累积分布R(Dp)的关系为 。 A. U(Dp) ＞ R(Dp) B. U(Dp)=R(Dp) C. U(Dp) ＜ R(Dp) D. U(Dp)+R(Dp)=1
【单选题】筛下累积分布U(Dp)和筛上累积分布R(Dp)的关系为 。 A. U(Dp) ＞ R(Dp) B. U(Dp)=R(Dp) C. U(Dp) ＜ R(Dp) D. U(Dp)+R(Dp)=1
3-DP工艺原理与FDM工艺相比较,采用粉末材料成形。( )
3-DP工艺原理与FDM工艺相比较,采用粉末材料成形。( )
欧拉平衡微分方程为 A: dp=-ρ（Xdx+Ydy+Zdz） B: dp=ρ（Xdx+Ydy+Zdz） C: dp=-g（Xdx+Ydy+Zdz） D: dp=g（Xdx+Ydy+Zdz）
欧拉平衡微分方程为 A: dp=-ρ（Xdx+Ydy+Zdz） B: dp=ρ（Xdx+Ydy+Zdz） C: dp=-g（Xdx+Ydy+Zdz） D: dp=g（Xdx+Ydy+Zdz）
重力作用下液体平衡基本方程为___。 A: dp=-ρdz； B: dp=-ρgdz； C: dp=-gdz； D: dp=ρgdz。
重力作用下液体平衡基本方程为___。 A: dp=-ρdz； B: dp=-ρgdz； C: dp=-gdz； D: dp=ρgdz。
( )是快速成形最早出现的工艺。 A: SLA B: FDM C: LOM D: 3-DP
( )是快速成形最早出现的工艺。 A: SLA B: FDM C: LOM D: 3-DP
目前DP接口有两种不同的规格，分别为标准DP和mini DP。
目前DP接口有两种不同的规格，分别为标准DP和mini DP。
目前DP接口有两种不同的规格，分别为标准DP和mini DP。 A: 正确 B: 错误
目前DP接口有两种不同的规格，分别为标准DP和mini DP。 A: 正确 B: 错误
若用“DS就是DP”表示定义公式，则犯“定义过窄”的逻辑错误是指在外延上? DS真包含于DP|DP真包含DS|DS真包含DP|DS等于DP
若用“DS就是DP”表示定义公式，则犯“定义过窄”的逻辑错误是指在外延上? DS真包含于DP|DP真包含DS|DS真包含DP|DS等于DP
目前DP接口有两种不同的规格，分别为标准DP和mini DP，未来会出现USB-C。
目前DP接口有两种不同的规格，分别为标准DP和mini DP，未来会出现USB-C。
下面满足非平衡载流子小注入条件的是()。 A: ．对于N型半导体，Dn=Dp<<n0，Dn=Dp>>p0 B: ．对于P型半导体，Dn=Dp<<n0，Dn=Dp<<p0 C: ．对于P型半导体，Dn=Dp>>n0，Dn=Dp>>p0 D: ．都不是
下面满足非平衡载流子小注入条件的是()。 A: ．对于N型半导体，Dn=Dp<<n0，Dn=Dp>>p0 B: ．对于P型半导体，Dn=Dp<<n0，Dn=Dp<<p0 C: ．对于P型半导体，Dn=Dp>>n0，Dn=Dp>>p0 D: ．都不是