若半导体材料的禁带宽度为Eg，要产生光电效应，必须符合（） A: hfB.hf>Eg B: hf=Eg
若半导体材料的禁带宽度为Eg，要产生光电效应，必须符合（） A: hfB.hf>Eg B: hf=Eg
如图A、B二种截面管道，已知二管长度相同，通过流量相同，沿程水头损失系数相同，则二管道的沿程水头损失（ ）[img=425x220]1803713a926a411.png[/img] A: hfA > hfB B: hfA = hfB C: hfA < hfB D: 尚不能确定大小
如图A、B二种截面管道，已知二管长度相同，通过流量相同，沿程水头损失系数相同，则二管道的沿程水头损失（ ）[img=425x220]1803713a926a411.png[/img] A: hfA > hfB B: hfA = hfB C: hfA < hfB D: 尚不能确定大小
光圆钢筋的代号为（ ）。 A: HFB B: HRB C: HPB D: HPBF
光圆钢筋的代号为（ ）。 A: HFB B: HRB C: HPB D: HPBF
达西-魏斯巴赫公式是（） A: hf=λlv/8Rg B: hf=λlv2/8Rg C: hf=λlv/4Rg D: hf=λlv2/2Rg
达西-魏斯巴赫公式是（） A: hf=λlv/8Rg B: hf=λlv2/8Rg C: hf=λlv/4Rg D: hf=λlv2/2Rg
HF的沸点高于HCl是因为HF存在氢键。（ ）
HF的沸点高于HCl是因为HF存在氢键。（ ）
下列氢化物热稳定性顺序正确的是 A: HF>HI>HBr>HCl B: HI>HBr>HCl>HF C: HF>HCl>HBr>HI D: HI>HBr>HF>HCl
下列氢化物热稳定性顺序正确的是 A: HF>HI>HBr>HCl B: HI>HBr>HCl>HF C: HF>HCl>HBr>HI D: HI>HBr>HF>HCl
对于T形截面正截面承载力计算时，属于第Ⅰ类（即中和轴在翼缘内）T形截面的判别式是（ ）。 A: M≤α1fcbf′hf′(h0-0.5hf′)或fyAs≤α1fcbf′hf′ B: M＞α1fcbf′hf′(h0-0.5hf′)或fyAs≤α1fcbf′hf′ C: M≤α1fcbf′hf′(h0-0.5hf′)或fyAs=α1fcbf′hf′ D: M≤α1fcbf′hf′(h0-0.5hf′)或fyAs＞α1fcbf′hf′
对于T形截面正截面承载力计算时，属于第Ⅰ类（即中和轴在翼缘内）T形截面的判别式是（ ）。 A: M≤α1fcbf′hf′(h0-0.5hf′)或fyAs≤α1fcbf′hf′ B: M＞α1fcbf′hf′(h0-0.5hf′)或fyAs≤α1fcbf′hf′ C: M≤α1fcbf′hf′(h0-0.5hf′)或fyAs=α1fcbf′hf′ D: M≤α1fcbf′hf′(h0-0.5hf′)或fyAs＞α1fcbf′hf′
下列晶体熔点高低正确的顺序是______。 A: SiO2 >NaCl>HF>HCl。 B: NaCl>SiO2>HCl>HF; C: NaCl>SiO2 >HF>HCl; D: SiO2 >NaCl>HCl>HF;
下列晶体熔点高低正确的顺序是______。 A: SiO2 >NaCl>HF>HCl。 B: NaCl>SiO2>HCl>HF; C: NaCl>SiO2 >HF>HCl; D: SiO2 >NaCl>HCl>HF;
下列物质化学键极性大小的顺序是（ ）。 A: HF＞NaI＞HCl＞H2 B: HF＞HCl＞H2＞NaI C: NaI＞H2＞HF＞HCl D: NaI＞HF＞HCl＞H2
下列物质化学键极性大小的顺序是（ ）。 A: HF＞NaI＞HCl＞H2 B: HF＞HCl＞H2＞NaI C: NaI＞H2＞HF＞HCl D: NaI＞HF＞HCl＞H2
下列分子偶极矩依次减小的顺序是：（ ） A: HI,HBr,HCl,HF B: HF,HCl,HBr,HI C: HBr,HCl,HF,HI D: HCl,HBr,HI,HF
下列分子偶极矩依次减小的顺序是：（ ） A: HI,HBr,HCl,HF B: HF,HCl,HBr,HI C: HBr,HCl,HF,HI D: HCl,HBr,HI,HF