80C51单片机的供电电压()V。 A: 3.3V B: 5V C: 12V D: -5V
80C51单片机的供电电压()V。 A: 3.3V B: 5V C: 12V D: -5V
INTELP4CPU工作电压是()V A: 5 B: 3.3 C: 1.7 D: 1.5
INTELP4CPU工作电压是()V A: 5 B: 3.3 C: 1.7 D: 1.5
<p>如果只输出3.3V电压,外部供给5V,或3.3V,或5V和3.3V。</p>
<p>如果只输出3.3V电压,外部供给5V,或3.3V,或5V和3.3V。</p>
DDR内存插槽的供电电压是()V。 A: 18 B: 2.5 C: 3.3 D: 5
DDR内存插槽的供电电压是()V。 A: 18 B: 2.5 C: 3.3 D: 5
已知电路参数如图所示,FET工作点上的互导gm=1mA/V,设rds>>Rd。电压增益Av为()。 A: -2.0 B: -3.3 C: 2.0 D: 3.3
已知电路参数如图所示,FET工作点上的互导gm=1mA/V,设rds>>Rd。电压增益Av为()。 A: -2.0 B: -3.3 C: 2.0 D: 3.3
肺底部V/Q的比值约为()。 A: 5.3 B: 4.63 C: 3.3 D: 2.3 E: 0.63
肺底部V/Q的比值约为()。 A: 5.3 B: 4.63 C: 3.3 D: 2.3 E: 0.63
LM2596的内部基准稳压器的电压是 V A: 1 B: 1.23 C: 3.3 D: 5
LM2596的内部基准稳压器的电压是 V A: 1 B: 1.23 C: 3.3 D: 5
差放电路如图所示,已知VCC=VEE=9V,Rc1=Rc2=47kΩ,Re=13kΩ,Rb1=3.6kΩ,Rb2=16kΩ,R1=R2=10kΩ,负载电阻RL=20kΩ。各三极管β=30,UBEQ=0.7V,估算:1)静态工作点;2)差模电压放大倍数;[img=295x194]17e443cf5b1d52f.jpg[/img]该电路静态工作点为IBQ1=IBQ2=________,ICQ1=ICQ2=________,UCQ1=UCQ2=________ A: 3.3μA 0.1mA 4.3 V B: 3.3μA 0.2mA 3.3 V 0.1μA 0.2mA 4.3 V 0.1μA 0.2mA 3.3 V该电路的差模电压放大倍数Ad=___________。BA13.6 -13.6 C: 40 D: -40
差放电路如图所示,已知VCC=VEE=9V,Rc1=Rc2=47kΩ,Re=13kΩ,Rb1=3.6kΩ,Rb2=16kΩ,R1=R2=10kΩ,负载电阻RL=20kΩ。各三极管β=30,UBEQ=0.7V,估算:1)静态工作点;2)差模电压放大倍数;[img=295x194]17e443cf5b1d52f.jpg[/img]该电路静态工作点为IBQ1=IBQ2=________,ICQ1=ICQ2=________,UCQ1=UCQ2=________ A: 3.3μA 0.1mA 4.3 V B: 3.3μA 0.2mA 3.3 V 0.1μA 0.2mA 4.3 V 0.1μA 0.2mA 3.3 V该电路的差模电压放大倍数Ad=___________。BA13.6 -13.6 C: 40 D: -40
测得放大电路中三极管三个管脚的对地电位分别为:①3.3V,②2.6V, ③15V,则该管的发射极电位为( )V。
测得放大电路中三极管三个管脚的对地电位分别为:①3.3V,②2.6V, ③15V,则该管的发射极电位为( )V。
ATX电源提供的区别AT电源的电压有()V A: +3.3 B: +5 C: +12 D: +5StandBy
ATX电源提供的区别AT电源的电压有()V A: +3.3 B: +5 C: +12 D: +5StandBy